自旋電子太赫茲源研究進(jìn)展
發(fā)布時(shí)間:2021-06-08 06:27
太赫茲頻段在電磁波譜上位于紅外和微波之間,兼具寬帶性、低能性、高透性、指紋性等諸多優(yōu)勢(shì)特性,在航空航天、無(wú)線通信、國(guó)防安全、材料科學(xué)、生物醫(yī)療等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景.太赫茲科學(xué)與技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用在很大程度上受限于源的水平,新型太赫茲輻射源的機(jī)理研究和器件研制至關(guān)重要.自旋太赫茲發(fā)射不僅從物理上提供了操控飛秒自旋流的可能,而且有望成為下一代超寬帶、低成本、高效率新型太赫茲源的優(yōu)選.本文系統(tǒng)地綜述了自旋電子太赫茲源的發(fā)展歷程、實(shí)驗(yàn)裝置、發(fā)射機(jī)理、材料選擇,以及前景展望,重點(diǎn)介紹了飛秒激光誘導(dǎo)的超快自旋流、鐵磁和非磁界面的自旋電荷轉(zhuǎn)換以及太赫茲發(fā)射等物理機(jī)制方面的研究進(jìn)展.本文還分別介紹了基于重金屬、拓?fù)浣^緣體、Rashba界面和半導(dǎo)體等體系的自旋電子太赫茲源.
【文章來(lái)源】:物理學(xué)報(bào). 2020,69(20)北大核心EISCICSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:13 頁(yè)
【部分圖文】:
透射式太赫茲發(fā)射譜儀的光路示意圖
非線性晶體是通過(guò)光整流效應(yīng)產(chǎn)生太赫茲輻射.當(dāng)飛秒激光在非線性晶體中傳播時(shí),不同頻率成分的光在晶體中的差頻作用會(huì)產(chǎn)生一個(gè)低頻極化電場(chǎng),從而向外輻射太赫茲波.除了Li Nb O3,Zn Te等常用的無(wú)機(jī)晶體外,DAST,DSTMS,OH1等有機(jī)晶體也能與飛秒激光作用產(chǎn)生較強(qiáng)的太赫茲輻射[16–18].非線性晶體與飛秒激光作用產(chǎn)生的太赫茲輻射具有信號(hào)強(qiáng)度大、頻譜范圍寬的優(yōu)點(diǎn),但由于非線性晶體存在聲子吸收以及損傷閾值等因素,難以進(jìn)一步提高抽運(yùn)激光的能量,因此無(wú)法產(chǎn)生更強(qiáng)的太赫茲輻射.此外,這些非線性晶體無(wú)法批量生長(zhǎng),價(jià)格較高,且尺寸受到限制.自旋電子太赫茲源(圖2)利用飛秒激光和鐵磁薄膜的相互作用產(chǎn)生太赫茲波自旋電子太赫茲源不僅可以產(chǎn)生超寬帶太赫茲輻射,而且還可以實(shí)現(xiàn)強(qiáng)場(chǎng)太赫茲輻射,同時(shí)還具有高效、廉價(jià)的特點(diǎn),在眾多太赫茲源中,具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì).相較于電光晶體的尺寸受限,磁性多層膜可以使用磁控濺射設(shè)備大規(guī)模低成本均勻制備.2017年,Seifert等[19]提出可以使用擴(kuò)束后的激光脈沖(能量為5.5 m J,中心波長(zhǎng)為800 nm,持續(xù)時(shí)間為40 fs,重復(fù)頻率為1 k Hz)來(lái)激發(fā)強(qiáng)場(chǎng)太赫茲發(fā)射.他們采用半高寬為4.8 cm的飛秒激光作用到大面積的自旋薄膜上,成功產(chǎn)生持續(xù)時(shí)間僅為230 fs的單周期太赫茲脈沖,且峰值電場(chǎng)高達(dá)300 k V/cm.
自旋軌道耦合也帶來(lái)了SHE的逆過(guò)程,即逆自旋霍爾效應(yīng)(inverse spin Hall effect,ISHE).ISHE將一個(gè)縱向的自旋流js轉(zhuǎn)化成橫向的電荷流jc∝θSHjS,其中θSH代表了材料的自旋霍爾角.在鐵磁共振實(shí)驗(yàn)中,研究人員已經(jīng)將ISHE用于自旋流的探測(cè)中[53,54].類似地,磁性材料在飛秒激光的作用下產(chǎn)生超快自旋流,并且注入到強(qiáng)SOC的非磁層中,ISHE將超快自旋流轉(zhuǎn)化為超快電荷流,從而產(chǎn)生太赫茲輻射(圖3).3.2.2 逆埃德爾斯坦(Edelstein)效應(yīng)
本文編號(hào):3217856
【文章來(lái)源】:物理學(xué)報(bào). 2020,69(20)北大核心EISCICSCD
【文章頁(yè)數(shù)】:13 頁(yè)
【部分圖文】:
透射式太赫茲發(fā)射譜儀的光路示意圖
非線性晶體是通過(guò)光整流效應(yīng)產(chǎn)生太赫茲輻射.當(dāng)飛秒激光在非線性晶體中傳播時(shí),不同頻率成分的光在晶體中的差頻作用會(huì)產(chǎn)生一個(gè)低頻極化電場(chǎng),從而向外輻射太赫茲波.除了Li Nb O3,Zn Te等常用的無(wú)機(jī)晶體外,DAST,DSTMS,OH1等有機(jī)晶體也能與飛秒激光作用產(chǎn)生較強(qiáng)的太赫茲輻射[16–18].非線性晶體與飛秒激光作用產(chǎn)生的太赫茲輻射具有信號(hào)強(qiáng)度大、頻譜范圍寬的優(yōu)點(diǎn),但由于非線性晶體存在聲子吸收以及損傷閾值等因素,難以進(jìn)一步提高抽運(yùn)激光的能量,因此無(wú)法產(chǎn)生更強(qiáng)的太赫茲輻射.此外,這些非線性晶體無(wú)法批量生長(zhǎng),價(jià)格較高,且尺寸受到限制.自旋電子太赫茲源(圖2)利用飛秒激光和鐵磁薄膜的相互作用產(chǎn)生太赫茲波自旋電子太赫茲源不僅可以產(chǎn)生超寬帶太赫茲輻射,而且還可以實(shí)現(xiàn)強(qiáng)場(chǎng)太赫茲輻射,同時(shí)還具有高效、廉價(jià)的特點(diǎn),在眾多太赫茲源中,具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì).相較于電光晶體的尺寸受限,磁性多層膜可以使用磁控濺射設(shè)備大規(guī)模低成本均勻制備.2017年,Seifert等[19]提出可以使用擴(kuò)束后的激光脈沖(能量為5.5 m J,中心波長(zhǎng)為800 nm,持續(xù)時(shí)間為40 fs,重復(fù)頻率為1 k Hz)來(lái)激發(fā)強(qiáng)場(chǎng)太赫茲發(fā)射.他們采用半高寬為4.8 cm的飛秒激光作用到大面積的自旋薄膜上,成功產(chǎn)生持續(xù)時(shí)間僅為230 fs的單周期太赫茲脈沖,且峰值電場(chǎng)高達(dá)300 k V/cm.
自旋軌道耦合也帶來(lái)了SHE的逆過(guò)程,即逆自旋霍爾效應(yīng)(inverse spin Hall effect,ISHE).ISHE將一個(gè)縱向的自旋流js轉(zhuǎn)化成橫向的電荷流jc∝θSHjS,其中θSH代表了材料的自旋霍爾角.在鐵磁共振實(shí)驗(yàn)中,研究人員已經(jīng)將ISHE用于自旋流的探測(cè)中[53,54].類似地,磁性材料在飛秒激光的作用下產(chǎn)生超快自旋流,并且注入到強(qiáng)SOC的非磁層中,ISHE將超快自旋流轉(zhuǎn)化為超快電荷流,從而產(chǎn)生太赫茲輻射(圖3).3.2.2 逆埃德爾斯坦(Edelstein)效應(yīng)
本文編號(hào):3217856
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