由于智能設備時常處于長時間工作的狀態(tài),在長時間加電的狀態(tài)下,電子系統(tǒng)內部的元器件的參數(shù)將會發(fā)生變化,這將導致其性能發(fā)生改變,以致于影響整個電子系統(tǒng)乃至整個智能設備的性能。因此,本課題針對常用的控制系統(tǒng)電路中的典型元器件在長期加電狀態(tài)下的性能變化情況展開進行研究,對于了解整個電子系統(tǒng)的故障演化規(guī)律,提升系統(tǒng)可靠性具有重要意義。本文對電子系統(tǒng)中的常見典型易退化器件:薄膜電阻、電解電容、光電耦合器、電磁繼電器、MOSFET以及運算放大器進行退化機理分析,并明確其退化參數(shù)。在明確了退化參數(shù)和相應技術指標的基礎上,以LAN和USB的混合總線為基礎,加之Labwindows/CVI為基礎設計測試軟件,結合得出針對器件參數(shù)的自動測量系統(tǒng)�；谠撟詣訙y量系統(tǒng),本文完成了各個元器件480小時的退化參數(shù)測量和采集,并對測量電路中出現(xiàn)的測量誤差進行了理論分析并進行修正。最后采用灰色模型、支持向量機回歸以及廣義神經(jīng)網(wǎng)絡這三種常用的小樣本建模算法對各個器件退化參數(shù)演變的趨勢進行建模,得出模型后與現(xiàn)有的相關文獻以及器件的技術手冊分析對比,本文得出的各器件退化參數(shù)模型可以表征各個器件在相應工作條件下的性能參數(shù)變化,... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：86 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第1章 緒論
    1.1 課題背景及研究的目的和意義
    1.2 國內外研究現(xiàn)狀
        1.2.1 無源器件退化的研究現(xiàn)狀
        1.2.2 有源分立器件退化的研究現(xiàn)狀
        1.2.3 有源集成器件研究現(xiàn)狀
        1.2.4 參數(shù)測量系統(tǒng)研究現(xiàn)狀
        1.2.5 器件退化建模的研究現(xiàn)狀
    1.3 本文的結構安排以及主要內容
第2章 典型器件的退化機理分析
    2.1 電阻的退化參數(shù)確定
        2.1.1 電阻退化的機理分析
        2.1.2 電阻的典型退化參數(shù)
    2.2 電解電容的退化參數(shù)確定
        2.2.1 電解電容退化的機理分析
        2.2.2 電解電容的典型退化參數(shù)
    2.3 光電耦合器的退化參數(shù)確定
        2.3.1 光電耦合器退化的機理分析
        2.3.2 光電耦合器的典型退化參數(shù)
    2.4 電磁繼電器的退化參數(shù)確定
        2.4.1 電磁繼電器退化的機理分析
        2.4.2 電磁繼電器的典型退化參數(shù)
    2.5 MOSFET的退化參數(shù)確定
        2.5.1 MOSFET退化的機理分析
        2.5.2 MOSFET的典型退化參數(shù)
    2.6 運算放大器的退化參數(shù)確定
        2.6.1 運算放大器退化的機理分析
        2.6.2 運算放大器的典型退化參數(shù)
    2.7 本章小結
第3章 典型器件的退化參數(shù)測量系統(tǒng)搭建
    3.1 測量需求總體分析
    3.2 參數(shù)測量系統(tǒng)硬件設計
        3.2.1 參數(shù)測量系統(tǒng)硬件方案
        3.2.2 各器件退化參數(shù)的測試電路設計
        3.2.3 儀器選型
        3.2.4 測量系統(tǒng)通信方式分析
        3.2.5 信號轉接模塊設計
    3.3 參數(shù)測量系統(tǒng)軟件設計
        3.3.1 參數(shù)測量軟件總體框架
        3.3.2 軟件功能設計
        3.3.3 軟件界面設計
    3.4 本章小結
第4章 典型器件退化模型建立
    4.1 測量誤差分析
        4.1.1 誤差分析的目的與意義
        4.1.2 電阻退化參數(shù)測量電路的誤差分析
        4.1.3 電解電容退化參數(shù)測量電路的誤差分析
        4.1.4 光電耦合器退化參數(shù)測量電路的誤差分析
        4.1.5 繼電器退化參數(shù)測量電路的誤差分析
        4.1.6 MOSFET退化參數(shù)測量電路的誤差分析
        4.1.7 運算放大器退化參數(shù)測量電路的誤差分析
    4.2 數(shù)據(jù)的預處理
        4.2.1 對于閾值電壓的誤差值的修正
        4.2.2 對于電容容值的誤差值的修正
        4.2.3 對于接觸電阻的誤差值的修正
    4.3 建模方法概述
        4.3.1 灰色系統(tǒng)建模
        4.3.2 支持向量機回歸建模
        4.3.3 廣義神經(jīng)網(wǎng)絡建模
    4.4 典型器件退化模型建立
        4.4.1 電阻參數(shù)的變化模型
        4.4.2 電解電容退化模型
        4.4.3 光電耦合器退化模型
        4.4.4 電磁繼電器退化模型
        4.4.5 MOSFET退化模型
        4.4.6 運算放大器退化模型
    4.5 本章小結
結論
參考文獻
附錄
致謝


【參考文獻】：
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本文編號：3206375