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FA/OⅡ型螯合劑對(duì)多層Cu布線CMP后BTA去除的研究

發(fā)布時(shí)間:2021-05-22 20:56
  在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)過程中,加入苯并三氮唑(BTA)抑制Cu界面和布線條的腐蝕。但同時(shí),會(huì)與Cu發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成的Cu-BTA鈍化膜是CMP后主要的清洗對(duì)象之一。采用FA/OⅡ型螯合劑作為清洗液的主要成分,采用接觸角測試儀及原子力顯微鏡來表征BTA的去除效果。通過改變FA/OⅡ型螯合劑的濃度完成一系列對(duì)比實(shí)驗(yàn),確定最佳的清洗效果。通過對(duì)比實(shí)驗(yàn)得知,當(dāng)清洗液中螯合劑的濃度為1.50×10-4200×10-4時(shí),此時(shí)清洗液的pH值>10,能有效去除Cu-BTA鈍化膜以及其它殘留的有機(jī)物,接觸角下降到29°,表面的粗糙度較低。 

【文章來源】:功能材料. 2016,47(06)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】:5 頁

【文章目錄】:
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]新型堿性清洗劑對(duì)BTA去除的研究[J]. 洪姣,劉玉嶺,王辰偉,苗英新,段波.  微納電子技術(shù). 2014(07)
[2]不同體積分?jǐn)?shù)螯合劑對(duì)Cu-BTA去除的影響[J]. 苗英新,王勝利,劉玉嶺,王辰偉,孫銘斌,洪姣.  微納電子技術(shù). 2014(07)



本文編號(hào):3201653

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