聲表面波器件向小型化、集成化、更高性能方向發(fā)展,需要制作復(fù)合單晶薄膜和采用晶圓級封裝。該文針對關(guān)鍵工藝中的晶圓鍵合工藝開展研究,提出工藝要求,簡述有關(guān)鍵合工藝要求和設(shè)備特點,并進(jìn)行了金屬鍵合工藝驗證。實驗證明,設(shè)備和工藝能滿足產(chǎn)品封裝要求。 

【文章來源】：壓電與聲光. 2020,42(03)北大核心

【文章頁數(shù)】：4 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 SAW器件晶圓鍵合技術(shù)
    1.1 晶圓級封裝鍵合工藝
    1.2 異質(zhì)晶圓鍵合工藝
    1.3 鍵合工藝要求
        1.3.1 晶圓清洗
        1.3.2 表面預(yù)處理
        1.3.3 精密對準(zhǔn)
        1.3.4 鍵合
        1.3.5 退火
2 SAW器件用晶圓鍵合設(shè)備特點
3 驗證
4 結(jié)束語


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]晶圓直接鍵合及室溫鍵合技術(shù)研究進(jìn)展[J]. 王晨曦,王特,許繼開,王源,田艷紅.  精密成形工程. 2018(01)
[2]Au/Sn共晶鍵合技術(shù)在MEMS封裝中的應(yīng)用[J]. 胥超,徐永青,楊擁軍,楊志.  微納電子技術(shù). 2014(02)
[3]聲表面波器件小型化技術(shù)發(fā)展概述[J]. 米佳,李輝.  壓電與聲光. 2012(01)

碩士論文
[1]晶圓級低溫金金擴(kuò)散鍵合的研究[D]. 盧學(xué)寶.北京交通大學(xué) 2014
[2]晶圓低溫直接鍵合技術(shù)研究[D]. 饒瀟瀟.華中科技大學(xué) 2007



本文編號：3198936