用非平衡格林函數(shù)理論和緊束縛模型近似計(jì)算長溝道彈道輸運(yùn)p型碳納米管場效應(yīng)管中電流強(qiáng)度.研究當(dāng)場效應(yīng)管介質(zhì)（SiO₂）中存在兩個(gè)帶電缺陷時(shí),載流子散射所引起的電流強(qiáng)度減小和柵極閾值電壓偏移量與缺陷位置的關(guān)系.介質(zhì)中兩個(gè)缺陷所帶電荷Q₁=Q₂=+e（-e為電子電荷）,都靠近源極或者都靠近漏極,或者一個(gè)電荷靠近源極另一個(gè)電荷靠近漏極.在工作狀態(tài)下,所引起的電流強(qiáng)度相對(duì)減小比介質(zhì)中只存在單個(gè)正電荷Q=+e且靠近源極（或漏極）時(shí)所引起的電流強(qiáng)度相對(duì)減小大得多.如果兩個(gè)正電荷都在溝道中央附近,隨著兩個(gè)電荷的軸向距離減小,柵極閾值電壓偏移的絕對(duì)值明顯增加.柵極閾值電壓偏移可達(dá)到-0.35 V. 

【文章來源】：計(jì)算物理. 2020,37(03)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：13 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 計(jì)算理論
2 數(shù)值結(jié)果
    2.1 雙缺陷電荷在溝道中央附近
    2.2 雙缺陷電荷均靠近源(或漏)極
    2.3 一個(gè)電荷在溝道中央另一個(gè)電荷靠近源(或漏)極
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[3]基于第一性原理研究單壁碳納米管的力學(xué)性質(zhì)[J]. 張立云,顧學(xué)文,宋榮利,張娜.  計(jì)算物理. 2011(05)



本文編號(hào)：3179932