隨著大數據、人工智能等領域的不斷發(fā)展,人們對于具備低能耗高性能的計算需求與日俱增�；贑MOS邏輯電路和馮諾依曼架構的傳統(tǒng)計算系統(tǒng)的發(fā)展目前已經遇到瓶頸,在未來將無法滿足大數據時代下對海量數據處理的需求。人腦是一個由大量神經元和突觸組成的高度互聯且結構可變的的復雜網絡。這種體系結構比任何當前的數字計算機都更有可能實現更加魯棒、更可加塑性和更加容錯的學習與記憶功能。突觸是大腦實現信息傳遞和處理的關鍵部位,因此研制具有突觸功能的器件對構建神經形態(tài)運算體系有著重要的意義。在突觸仿生器件中,基于離子導電門控柵介質的雙電層薄膜晶體管在突觸模擬中展現出巨大的潛力。利用電解質巨大的雙電層電容既可以有效地實現器件的超低電壓工作,又可以利用離子運動引發(fā)的弛豫來模擬突觸塑性。在本研究中分別利用靜電紡絲和溶膠凝膠技術制備了金屬氧化物突觸晶體管。主要研究內容如下:1)采用靜電紡絲技術制備了氧化鋅錫（ZnSnO）納米纖維,并集成了基于ZnSnO納米纖維的突觸晶體管。為了模擬人腦的突觸行為,以溶解在聚氧化乙烯（PEO）中的高氯酸理（LiClO₄）作為突觸晶體管中的柵極電解質。在低偏置電壓和高... 

【文章來源】：青島大學山東省

【文章頁數】：57 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
引言
第一章 緒論
    1.1 場效應晶體管的發(fā)展歷史
    1.2 雙電層晶體管
        1.2.1 雙電層晶體管概述
        1.2.2 雙電層晶體管的工作原理
        1.2.3 雙電層晶體管研究現狀
    1.3 神經形態(tài)電子器件概述
        1.3.1 神經突觸行為簡介
        1.3.2 雙電層晶體管在神經形態(tài)工程中的應用
    1.4 研究內容和章節(jié)安排
第二章 低功耗ZnSnO納米纖維突觸晶體管的制備與研究
    2.1 引言
    2.2 實驗材料及儀器設備
    2.3 ZnSnO納米纖維突觸晶體管的制備
    2.4 ZnSnO納米纖維突觸晶體管的性能研究
    2.5 突觸行為的模擬
        2.5.1 興奮性突觸后電流
        2.5.2 雙脈沖易化
        2.5.3 長程塑性
    2.6 本章小結
第三章 低溫溶液法制備柔性In_2O_3突觸晶體管
    3.1 引言
    3.2 實驗材料及儀器設備
    3.3 In_2O_3突觸晶體管的制備
    3.4 In_2O_3突觸晶體管的性能研究
        3.4.1 不同退火條件下In_2O_3 TFTs的性質分析
        3.4.2 基于柔性襯底的In_2O_3 TFTs性質分析
    3.5 短程塑性的模擬
        3.5.1 單脈沖下短程塑性模擬
        3.5.2 雙脈沖下的突觸易化
        3.5.3 基于短程塑性的高通濾波特性
    3.6 長程塑性的模擬
        3.6.1 單脈沖下長程塑性的模擬
        3.6.2 序列脈沖與長程塑性
        3.6.3 電導調制與長程記憶
    3.7 本章小結
第四章 工作總結與展望
參考文獻
攻讀學位期間的研究成果
致謝



本文編號：3175759