芯片表面電極薄層脫落是絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）封裝模塊的一種常見(jiàn)失效現(xiàn)象,因此對(duì)其失效機(jī)理分析與壽命的有效預(yù)測(cè)是整體器件可靠性評(píng)估中的一個(gè)研究要點(diǎn)。首先通過(guò)仿真分析了芯片表面電極的應(yīng)力應(yīng)變隨功率循環(huán)載荷的變化情況,發(fā)現(xiàn)芯片表面鋁電極薄層與引線的鍵合位置附近區(qū)域存在應(yīng)力集中情況,且應(yīng)力集中的位置與實(shí)驗(yàn)中失效樣品的斷裂位置一致。此外還發(fā)現(xiàn)應(yīng)力集中區(qū)僅在起初的短時(shí)間內(nèi)存在一個(gè)逐漸減小的塑性應(yīng)變幅,隨后由于材料硬化,塑性屈服點(diǎn)上移,直至失效塑性應(yīng)變都不再變化,因此可以推測(cè)材料的斷裂失效是由于穩(wěn)定后的塑性應(yīng)變和循環(huán)應(yīng)力綜合導(dǎo)致的,鑒于上述分析,提出了一種同時(shí)考慮材料硬化和應(yīng)力疲勞的壽命預(yù)測(cè)公式,并采用其他兩種條件下的實(shí)驗(yàn)壽命值評(píng)估了此公式的準(zhǔn)確性,總體平均誤差為1%。 

【文章來(lái)源】：電力電子技術(shù). 2020,54(03)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：3 頁(yè)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
[1]銅引線鍵合工藝中焊盤(pán)內(nèi)傷失效機(jī)理研究和改進(jìn)[D]. 王金良.電子科技大學(xué) 2014



本文編號(hào)：3160271