基于SMIC 0.18μm HVBCD工藝,移除了3層掩模板。調(diào)整器件的結(jié)構(gòu)參數(shù),對(duì)橫向雙擴(kuò)散MOS管（NLDMOS）進(jìn)行了分批流片。該NLDMOS通過(guò)了電學(xué)性能合格測(cè)試。對(duì)源漏擊穿電壓BV_ds、比導(dǎo)通電阻R_on進(jìn)行了測(cè)試和分析。結(jié)果表明,BV_ds達(dá)到59.2 V,R_on為50.5 mΩ·mm²。與原有的HVBCD工藝的電參數(shù)保持一致。該NLDMOS的柵極耐壓值達(dá)到40 V,同時(shí)降低了成本,縮短了生產(chǎn)周期。 

【文章來(lái)源】：微電子學(xué). 2020,50(01)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引 言
1 工藝流程調(diào)整
    1.1 移除DNW掩模板
    1.2 移除NDrift、PDrift掩模板
2 NLDMOS的結(jié)構(gòu)參數(shù)
3 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果討論
    3.1 DLB對(duì)BVds和Ron的影響
    3.2 DS因子對(duì)BVds和Ron的影響
    3.3 DDX對(duì)BVds和Ron的影響
    3.4 DFX因子對(duì)BVds和Ron的影響
    3.5 最優(yōu)的結(jié)構(gòu)參數(shù)
4 結(jié) 論



本文編號(hào)：3157006