在科技迅速發(fā)展的同時,電磁干擾情況日益嚴重,此外電子設(shè)備內(nèi)部各個器件之間的干擾情況也在不斷加重。電流鏡屬于電路的重要構(gòu)成部分,為提高電路電磁兼容性,需提升電流源抗電磁干擾能力。電流模式電路的運行速度較高,且動態(tài)范圍較大,因而其在電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。作為電流模式電路的重要組成部分——電流鏡的性能將直接影響其運行情況。若電磁干擾信號進入電流鏡中,與電流鏡輸出端連接在一起的設(shè)備都將受電磁信號的影響;若電磁干擾信號進入MOS管,則電流鏡輸出端可能出現(xiàn)直流偏移情況,嚴重的甚至會影響電路的正常運行。研究發(fā)現(xiàn),通過分析、優(yōu)化直流反饋結(jié)構(gòu)、低通濾波結(jié)構(gòu)等結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)優(yōu)化電流鏡結(jié)構(gòu)的目標。通過T-Spice仿真研究可發(fā)現(xiàn),抗電磁干擾電流鏡的抗電磁干擾能力較強,且電路運行穩(wěn)定性較高。 

【文章來源】：山東農(nóng)業(yè)大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版). 2020,51(02)北大核心

【文章頁數(shù)】：4 頁

【文章目錄】：
1 電流模式電路
    1.1 電磁兼容性
    1.2 T-spice與MOS管的spice模型
2 抗電磁干擾鏡像電流源特點
3 新型抗電磁干擾電流鏡設(shè)計探究
    3.1 主電路
    3.2 高精度低功耗設(shè)計
    3.3 新型電流鏡及直流反饋電流鏡的對比
    3.4 新型電流鏡與低通濾波電流鏡的對比
4 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]PFM開關(guān)電源集成電路的抗電磁干擾設(shè)計[J]. 居水榮,王津飛,石徑,張子豪.  半導(dǎo)體技術(shù). 2017(08)
[2]互補式金氧半（CMOS）集成電路的靜電放電防護方法研究[J]. 夏繼軍.  激光雜志. 2017(06)
[3]激光接收器的CMOS電路節(jié)能控制器的設(shè)計[J]. 李琴.  激光雜志. 2016(11)
[4]一種基于0.18μm CMOS的X射線聚焦光學(xué)信號采集電路設(shè)計[J]. 農(nóng)高海,吳再群.  科技通報. 2016(08)
[5]無運放高階溫度補償?shù)幕鶞孰娐吩O(shè)計[J]. 陳忠學(xué),唐杰,章國豪.  固體電子學(xué)研究與進展. 2016(02)

碩士論文
[1]128×128元非制冷紅外焦平面結(jié)型探測器陣列信號讀出關(guān)鍵電路設(shè)計[D]. 劉強.北京交通大學(xué) 2017



本文編號：3148925