針對(duì)憶阻器尚未商業(yè)化的現(xiàn)狀,為了給憶阻器的相關(guān)研究提供一種可替代的仿真器,在HP模型的基礎(chǔ)上推導(dǎo)出一種簡(jiǎn)單通用的電荷控制模型,設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一款基于模擬器件的荷控仿真器。利用軟件PSPICE對(duì)仿真器的伏安特性進(jìn)行了仿真分析和優(yōu)化,同時(shí)采用印刷線路板技術(shù)加工制作了仿真器實(shí)物電路。仿真和測(cè)試結(jié)果表明,在正弦信號(hào)激勵(lì)下憶阻器仿真器展現(xiàn)出典型的非線性磁滯回線特性,且該荷控憶阻器仿真電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于加工,在實(shí)際電路的應(yīng)用方面具有一定的參考價(jià)值。 

【文章來(lái)源】：電子元件與材料. 2020,39(08)北大核心CSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【部分圖文】：

第二代電流傳輸器電路(CCII+)

簡(jiǎn)單的荷控憶阻器仿真器的原理圖

為驗(yàn)證本文中圖2所示的憶阻器仿真電路的可行性,在憶阻器的輸入端口輸入峰值為2 V,頻率為500 Hz的正弦信號(hào),其輸入電壓與通過(guò)仿真器的輸入電流的波形如圖3所示。從圖3可以看出該憶阻器的電導(dǎo)(即dI/dV)在不同的區(qū)域呈現(xiàn)不同的值,因此憶阻器的阻值是可變的。輸入電壓與電流的變化不一致,從而使得憶阻器的阻值能夠發(fā)生變化。圖4為憶阻器仿真器在500 Hz輸入信號(hào)下的電壓電流特性曲線。從圖4可以看出,憶阻器的阻值隨電流不同而不同,一般同一個(gè)電流值對(duì)應(yīng)二個(gè)電壓值,從而使得憶阻器的阻值在某特定的阻值范圍內(nèi)變化。圖4 憶阻器電路在500 Hz輸入信號(hào)下的電壓電流特性曲線


本文編號(hào)：3128356