為避免芯片內部因溫度過高而造成損壞,以及確保芯片的可靠性和穩(wěn)定性,基于0.18μm CMOS工藝設計并實現(xiàn)了一種高精度高靈敏度過溫保護電路。該電路通過引入帶有溫度系數(shù)電壓的反饋技術,產生帶有溫度信息的邏輯電平,實現(xiàn)對電路工作狀態(tài)的控制,并給出細致的推導過程�；鶞孰娐房稍趯挿秶妮斎腚妷汉蜏囟认抡９ぷ�,保證過溫保護電路有穩(wěn)定的工作狀態(tài)和穩(wěn)定的輸出。電路包含正反饋結構,加速溫度檢測信號輸出的翻轉,提高靈敏度。仿真結果表明,當溫度超過160℃時,保護電路開啟,當溫度降到150℃時,保護電路關閉,且有10℃的溫度遲滯量。該電路能很好地抑制電源電壓變化造成的閾值點的漂移,有較高的精度,確保電路性能的穩(wěn)定。 

【文章來源】：現(xiàn)代電子技術. 2020,43(22)北大核心

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

過溫保護電路

電流隨溫度曲線

Vbias變化曲線

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3083411