光猝滅/電場調(diào)控下高倍增GaAs光電導開關工作機理研究
發(fā)布時間:2021-03-12 18:28
高功率高重復頻率超快電脈沖的產(chǎn)生技術是一系列高科技研究與前沿研究的基礎,在通信、雷達、電子對抗、電磁武器、核爆模擬、激光核聚變、環(huán)境保護、食品保鮮、材料改性等領域有廣泛的應用。在兼顧高重復頻率電脈沖的功率和超短脈沖寬度兩個方面,砷化鎵(Gallium arsenide,GaAs)光電導開關(photoconductive semiconductor switch,PCSS)因其卓越的性能而被視為最有潛力的超快開關器件。然而,在高功率高重復頻率的重大應用需求下,GaAs PCSS的線性模式和高倍增模式都存在應用上的不足。線性模式下GaAs PCSS能迅速斷開,可以工作于較高的重復頻率;同時由于沒有電子的雪崩倍增現(xiàn)象,所以GaAs PCSS的工作壽命高,輸出波形易于調(diào)控。由于線性模式不具備支持電子雪崩倍增的偏置電場條件,也就不具有雪崩倍增效應,于是要想獲得高功率輸出的電脈沖,就需要較大功率的脈沖激光器觸發(fā)GaAs PCSS。但是因為高功率激光器的成本高昂、系統(tǒng)復雜,制約了GaAs PCSS在脈沖功率領域中更好的發(fā)展。人們關注到高倍增模式具有比線性模式上升時間短、所需觸發(fā)光能量低的優(yōu)勢,這就...
【文章來源】:西安理工大學陜西省
【文章頁數(shù)】:60 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
GaAsPCSS的測試電路
GaAsPCSS結(jié)構(gòu)示意圖
GaAsPCSS線性和高倍增工作模式的輸出波形對比圖
【參考文獻】:
期刊論文
[1]紅外猝滅非線性砷化鎵光電導開關產(chǎn)生太赫茲的實驗研究(英文)[J]. 徐鳴,李孟霞,安鑫,卞康康,施衛(wèi). 紅外與激光工程. 2016(04)
[2]高增益雙層組合GaAs光電導開關設計與實驗研究[J]. 施衛(wèi),王馨梅,侯磊,徐鳴,劉崢. 物理學報. 2008(11)
[3]半絕緣GaAs光電導開關中光激發(fā)電荷疇的猝滅疇模式(英文)[J]. 田立強,施衛(wèi). 半導體學報. 2008(10)
[4]高功率超短電磁脈沖微波源及其應用[J]. 施衛(wèi),孫強,李琦. 西安理工大學學報. 1999(01)
[5]高倍增 GaAs 光電導開關的設計與研制[J]. 施衛(wèi),梁振憲,徐傳驤. 西安交通大學學報. 1998(08)
博士論文
[1]GaAs光電導開關中載流子輸運規(guī)律研究[D]. 屈光輝.西安理工大學 2009
碩士論文
[1]半絕緣GaAs開關中光激發(fā)電荷疇的理論研究[D]. 曾駿.西安理工大學 2008
[2]光電導開關非線性模式的機理分析及應用研究[D]. 田立強.西安理工大學 2004
[3]砷化鎵光電導開關瞬態(tài)特性研究[D]. 陳二柱.西安理工大學 2002
本文編號:3078773
【文章來源】:西安理工大學陜西省
【文章頁數(shù)】:60 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
GaAsPCSS的測試電路
GaAsPCSS結(jié)構(gòu)示意圖
GaAsPCSS線性和高倍增工作模式的輸出波形對比圖
【參考文獻】:
期刊論文
[1]紅外猝滅非線性砷化鎵光電導開關產(chǎn)生太赫茲的實驗研究(英文)[J]. 徐鳴,李孟霞,安鑫,卞康康,施衛(wèi). 紅外與激光工程. 2016(04)
[2]高增益雙層組合GaAs光電導開關設計與實驗研究[J]. 施衛(wèi),王馨梅,侯磊,徐鳴,劉崢. 物理學報. 2008(11)
[3]半絕緣GaAs光電導開關中光激發(fā)電荷疇的猝滅疇模式(英文)[J]. 田立強,施衛(wèi). 半導體學報. 2008(10)
[4]高功率超短電磁脈沖微波源及其應用[J]. 施衛(wèi),孫強,李琦. 西安理工大學學報. 1999(01)
[5]高倍增 GaAs 光電導開關的設計與研制[J]. 施衛(wèi),梁振憲,徐傳驤. 西安交通大學學報. 1998(08)
博士論文
[1]GaAs光電導開關中載流子輸運規(guī)律研究[D]. 屈光輝.西安理工大學 2009
碩士論文
[1]半絕緣GaAs開關中光激發(fā)電荷疇的理論研究[D]. 曾駿.西安理工大學 2008
[2]光電導開關非線性模式的機理分析及應用研究[D]. 田立強.西安理工大學 2004
[3]砷化鎵光電導開關瞬態(tài)特性研究[D]. 陳二柱.西安理工大學 2002
本文編號:3078773
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