隨著電子器件、印制電路等領域的發(fā)展,要求設備小型化、高功率化,要求材料高絕緣、易加工、具有較高的導熱率。聚芳醚腈（PEN）有著優(yōu)異的性能,如高絕緣性、高韌性、高熱穩(wěn)定性,在電子器件、航空航天領域有著巨大的應用前景。但PEN低導熱率、較高的熱膨脹系數,不能直接滿足各行業(yè)的需求。而導熱高分子復合材料能獲得新的優(yōu)異性能,充分發(fā)揮高分子材料的優(yōu)勢。六方氮化硼（h-BN）是新型的二維絕緣材料,具有高導熱率、高絕緣等性質,是近年絕緣高導熱材料研究重點。但未經過改性處理的氮化硼在高分子基體中分散不均勻,與基體界面相容性差,直接影響復合材料的性能,所以對氮化硼進行表面改性至關重要。首先,本文合成鄰苯二甲腈封端的聚芳醚腈作為基體材料。合成水溶性磺化聚芳醚腈（SPEN）作為h-BN的表面改性劑,利用超聲分散和后處理的方法,制備BN@SPEN核殼結構填料。將該填料加入到封端聚芳醚腈基體中,通過溶液流延成膜法制備復合薄膜。利用DMA測試驗證了復合薄膜具有低熱膨脹系數,高尺寸穩(wěn)定性。通過導熱測試發(fā)現(xiàn),復合薄膜的導熱率明顯上升,當BN@SPEN填料為20wt%時,復合薄膜的導熱率達0.69 W/（m·K）,是純膜... 

【文章來源】：電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數】：85 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

部分代表結構的聚芳醚腈

PEN-ID300的結構示意圖

六方氮化硼結構示意圖


本文編號：3070125