發(fā)布時(shí)間：2021-03-06 03:44

　　Ga₂O₃半導(dǎo)體材料共有六種結(jié)構(gòu)。其中單斜相的β-Ga₂O₃由于具有最好的熱力學(xué)穩(wěn)定性,并且可以用作單晶襯底,受到人們廣泛的關(guān)注和研究。β-Ga₂O₃,禁帶寬度為4.9 eV,性能穩(wěn)定,具有耐高溫耐高壓,不溶于酸和堿等優(yōu)良的特性。β-Ga₂O₃的通常被應(yīng)用在氣體探測(cè)、電子電力器件和紫外光探測(cè)等方面。目前為止,已經(jīng)報(bào)道的β-Ga₂O₃材料具有以下多種形貌:塊體單晶、一維的納米線和納米帶、二維的薄膜和納米線陣列等。其中,高質(zhì)量的塊體單晶和薄膜難以制備,通常需要昂貴的設(shè)備來合成（如MBE、MOCVD等）,而納米結(jié)構(gòu)的材料又不易于操作。因此利用β-Ga₂O₃材料制作器件成本很高。因此制備出高質(zhì)量,易于操作且低成本的β-Ga₂O₃單晶是非常有意義的。本文通過化學(xué)氣相沉積的方法,制備出了高質(zhì)量的... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：58 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

MgZnO/PANI器件性能a）MgZnO/PNI器件的和光導(dǎo)型MgZnO器件的響應(yīng)度，插圖為MgZnO/PNI器件響應(yīng)度的對(duì)數(shù)b）MgZnO/PANI器件的整流曲線，插圖中展示的是器件的結(jié)構(gòu)示意圖

哈爾濱工業(yè)大學(xué)理學(xué)碩士畢業(yè)論文帶隙可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)，可以通過調(diào)節(jié) Mg、日盲波段有響應(yīng)。但為了使其響應(yīng)波段問題導(dǎo)致晶體質(zhì)量的損傷，從而影響響單晶的探測(cè)器機(jī)所的趙東旭團(tuán)隊(duì)開發(fā)出了一步法生長(zhǎng)行成是由于 VS 過程中 ZnO（950 °C）課題組之前的工作中分別在 1050 °C 3微米帶。在一步法生長(zhǎng)過程中，由于 Z線先在 1050 °C 階段形成，隨著溫度的a2O3的生長(zhǎng)溫度后 Ga2O3殼在氧化鋅殼微米線。

哈爾濱工業(yè)大學(xué)理學(xué)碩士畢業(yè)論文（如圖 1a），經(jīng)測(cè)試可以觀察到當(dāng)溫度高，證明器件是雪崩二極管，雪崩倍增偏壓下，響應(yīng)度可達(dá) 1.3 103A/W,相應(yīng)時(shí)機(jī)所的申德振等人通過簡(jiǎn)單的氧化金屬 法為，首先通過旋涂的方法將液體金屬管式爐中通入高純氧氣在 1050 °C 的條件鎵微米線陣列就在 Ga 薄膜表面形成了。沉積 20 nm 的 Au 膜。通過這種方法研制特基結(jié)構(gòu)日盲紫外光探測(cè)器，該器件具有能探測(cè)，在 0 V 偏壓的條件下，器件響應(yīng)該器件的優(yōu)點(diǎn)是具有超快的響應(yīng)速度，]

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Preparation of Ga2O3 thin film solar-blind photodetectors based on mixed-phase structure by pulsed laser deposition[J]. 呂有明,李超,陳相和,韓瞬,曹培江,賈芳,曾玉祥,劉新科,許望穎,柳文軍,朱德亮.  Chinese Physics B. 2019(01)



本文編號(hào)：3066379