設(shè)計(jì)了一種集成雙半橋和四功率開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)芯片。采用雙路對(duì)稱設(shè)計(jì),每一路可單獨(dú)控制使能、自舉和驅(qū)動(dòng)。芯片內(nèi)部采用高精度的基準(zhǔn)源以及LDO電路,同時(shí)具有欠壓死鎖、過(guò)壓保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)功能。死區(qū)控制可避免上下功率管直通大電流,自舉設(shè)計(jì)可使上功率管的開(kāi)啟電壓達(dá)到5 V,降低了功率管自身的損耗,使功率管輸出達(dá)到11.90 V。采用TSMC 0.18μm BCD工藝進(jìn)行流片。測(cè)試結(jié)果表明,輸出的方波信號(hào)幅度為11.96 V/11.95 V,死區(qū)時(shí)間為60 ns/80 ns,靜態(tài)功耗低至478μA。 

【文章來(lái)源】：微電子學(xué). 2020,50(02)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：8 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引 言
1 半橋驅(qū)動(dòng)原理
2 芯片關(guān)鍵模塊的分析與設(shè)計(jì)
    2.1 高精度基準(zhǔn)源
    2.2 LDO主電路
    2.3 自舉電路
    2.4 死區(qū)控制電路
3 測(cè)試結(jié)果
4 結(jié) 論


【參考文獻(xiàn)】：
碩士論文
[1]一種高壓IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)[D]. 伍滔.電子科技大學(xué) 2015



本文編號(hào)：3054143