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鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究進(jìn)展

發(fā)布時(shí)間:2021-02-25 18:19
  鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以突破傳統(tǒng)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的玻爾茲曼限制,將亞閾值擺幅降低到60 m V/dec以下,極大地改善了晶體管的開(kāi)關(guān)電流比和短溝道效應(yīng),有效地降低了器件的功耗,為實(shí)現(xiàn)晶體管特征尺寸的減小和摩爾定律的延續(xù)提供了選擇.本文分析總結(jié)了國(guó)內(nèi)外近年來(lái)關(guān)于鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管代表性的研究進(jìn)展,為進(jìn)一步研究提供參考.首先介紹了鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究背景及其意義;然后總結(jié)了鐵電材料的基本性質(zhì)和種類(lèi),并對(duì)鐵電材料負(fù)電容的物理機(jī)制和鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理進(jìn)行了討論;接下來(lái)從器件溝道材料維度的角度,分別總結(jié)了最近幾年基于三維溝道材料和二維溝道材料且與氧化鉿基鐵電體結(jié)合的鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究成果,并對(duì)器件的亞閾值擺幅、開(kāi)關(guān)電流比、回滯電壓和漏電流等性能的改善進(jìn)行了分析概述;最后對(duì)鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管目前存在的問(wèn)題和未來(lái)的發(fā)展方向作了總結(jié)與展望. 

【文章來(lái)源】:物理學(xué)報(bào). 2020,69(13)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】:29 頁(yè)


本文編號(hào):3051375

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