近幾年來,高壓功率半導體器件廣泛的應用在智能家居、軌道交通和汽車電子等多個領域。高壓功率半導體器件的更新速度越來越快,但同時,對其性能的要求也越來越高。利用絕緣襯底硅（Silicon-On-Insulator,SOI）技術的橫向金屬氧化物場效應晶體管（Laterally Double-diffused Metal-Oxide Semiconductor,LDMOS）兼具了 SOI 技術和 LDMOS 的優(yōu)點,工作速度快、寄生效應低、工藝制備簡單、方便集成,且能夠實現(xiàn)理想的隔離效果。因此,SOI LDMOS在高壓功率半導體器件領域受到廣泛的關注。本文從器件結構設計的角度出發(fā),結合SOI LDMOS的橫向和縱向耐壓機理,對基于SOI LDMOS的高壓器件進行研究,并提出了兩種新型的器件結構。第一種是具有混合的部分P型硅埋層（Partial Buried P Layer,PBPL）和部分N型硅埋層（Partial Buried N Layer,PBNL）的SOI LDMOS器件。該器件在橫向表面電場分布中存在著兩個尖峰,能夠更好的改善RESURF效應,并且為漂移區(qū)和部分N型硅埋層之間的折中提... 

【文章來源】：杭州電子科技大學浙江省

【文章頁數(shù)】：61 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．２傳統(tǒng)ＬＤＭＯＳ結構??傳統(tǒng)ＬＤＭＯＳ的結構如圖１．２所示，與早期的ＭＯＳ相比，ＬＤＭＯＳ在Ｎ＋源區(qū)和Ｎ＋漏區(qū)??

Ｆｉｅｌｄ，ＲＥＳＵＲＦ）的技術丨２５］，它的提出是為了器件的表面電場分布更均勻，器件的橫向擊穿??電壓更高。??如圖１．３是兩種外延層厚度不同的ＲＥＳＵＲＦ結構，它們都是在Ｐ襯底（Ｐ－ｓｕｂ）上放置一??層Ｎ外延層（Ｎ－ｅｐｉ），但（ａ）中外延層較厚，（ｂ）中外延層較薄。Ｎ外延層和Ｐ＋擴散區(qū)形成??了橫向的ＰＭ結，和Ｐ襯底形成了垂直的ＰＮ結。其中，橫向的Ｐ＂Ｎ結決定了器件導通電阻??特征，垂直的ＰＮ結支撐了空間電荷的耗盡區(qū)域來獲得更高的擊穿電壓。??．?ＶＲ??－ｎ?ｉ＼Ｅ＝Ｅｃ???：�。蓿�?Ｎ＋??Ｐ＋ｉ、?Ｎ－ｅｐｉ?Ｅ＜Ｅｃ??ｉｚｉｚｚｚ？??（ａ）??ｊｈ?ｌ＾Ｅ＜Ｅｃ?Ａ?ｙＲ??Ｐ＋?ｊ?Ｎ－ｅｐｉ?Ｉ?－Ｎ－十??｜?）ｅ＝ｅｃ??、、、、、＇?Ｐ－ｓｕｂ?／??、???（ｂ）??圖１．３具有（ａ）厚外延層和（ｂ）薄外延層的ＲＥＳＵＲＦ結構??４??

從圖２．１可以看出，ＳＯＩ技術通過使用絕緣體分常用的是二氧化硅材料，因此也被稱為埋氧標準的硅工藝中，半導體襯底所受到的一些不ＯＩ技術的應用使器件具有較快的開關速度，器

【參考文獻】：
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本文編號：3035257