在減少清洗液對晶圓表面腐蝕的前提下,盡可能地去除表面殘留的苯并三唑（BTA）是Cu互連化學機械拋光（CMP）后清洗的研究重點。選擇了兩種非離子表面活性劑聚乙二醇辛基苯基醚（Triton X-100）和脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO-20）與質量分數為0.02%的FA/OⅡ螯合劑復配成堿性清洗劑,研究其對Cu表面BTA的去除效果,對其作用機理進行了分析。接觸角和電化學測試結果表明,兩種清洗劑均改善了Cu表面Cu-BTA的去除效果。其中FA/OⅡ螯合劑與質量分數為0.22%的Triton X-100復配清洗Cu表面后,接觸角降為37.75°,腐蝕電流密度增大到2.424×10^-6 A/cm²;與質量分數為0.25%的AEO-20復配清洗Cu表面后,接觸角降為32.5°,腐蝕電流密度增大到2.657×10^-6 A/cm²;當AEO-20與FA/OⅡ復配清洗液pH值為10.5時,幾乎不影響B(tài)TA的去除效果,但Cu表面的粗糙度降至5.59 nm。 

【文章來源】：半導體技術. 2020,45(10)北大核心

【文章頁數】：8 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
2 結果與討論
    2.1 復配FA/OⅡ螯合劑和Triton X-100對BTA的去除效果
        2.1.1 接觸角測量分析
        2.1.2 電化學測試分析
    2.2 復配 FA/O Ⅱ螯合劑和AEO-20對BTA的去除效果
        2.2.1 接觸角測量分析
        2.2.2 電化學測試分析
    2.3 FA/O Ⅱ螯合劑和AEO-20復配清洗液的pH值優(yōu)化
    2.4 表面活性劑作用機理分析
3 結論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]Effect of organic amine alkali and inorganic alkali on benzotriazole removal during post Cu-CMP cleaning[J]. Liu Yang,Baimei Tan,Yuling Liu,Baohong Gao,Yilin Liu,Chunyu Han,Qi Wang,Siyu Tian.  Journal of Semiconductors. 2018(12)
[2]新型堿性清洗液對CMP后殘留SiO2顆粒的去除[J]. 楊柳,劉玉嶺,檀柏梅,高寶紅,劉宜霖.  電子元件與材料. 2018(05)
[3]堿性多羥多胺螯合劑對Cu CMP后BTA去除作用及機理[J]. 高寶紅,檀柏梅,車佳漭,劉宜霖,楊柳,劉玉嶺.  半導體技術. 2018(04)

碩士論文
[1]GLSI銅布線CMP后清洗堿性清洗液的研究[D]. 鄧海文.河北工業(yè)大學 2016



本文編號：3029376