發(fā)布時(shí)間：2021-02-11 08:21

　　為進(jìn)一步研究IGBT老化對(duì)其結(jié)溫的影響,提出了一種新型的結(jié)溫預(yù)測(cè)方法。通過(guò)功率循環(huán)加速老化實(shí)驗(yàn),模擬模塊實(shí)際運(yùn)行老化狀態(tài),獲取了不同老化程度下的飽和壓降、集電極電流和結(jié)溫?cái)?shù)據(jù),并進(jìn)行分析。采用數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的方法,建立了基于天牛須搜索算法優(yōu)化支持向量機(jī)（BAS-SVM）的結(jié)溫預(yù)測(cè)模型。結(jié)果表明,與粒子群算法-支持向量機(jī)（PSO-SVM）模型和天牛須搜索-BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（BAS-BP）模型相比,BAS-SVM模型更能有效縮短訓(xùn)練時(shí)間,收斂速度更快,且對(duì)IGBT結(jié)溫的預(yù)測(cè)精度更高,是一種更有效的預(yù)測(cè)模型。 

【文章來(lái)源】：微電子學(xué). 2020,50(05)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【部分圖文】：

結(jié)溫-飽和壓降校正電路

為避免Ic在15 ℃～20 ℃因模塊高溫特性出現(xiàn)結(jié)溫測(cè)量盲區(qū),設(shè)定集電極電流值從25 A到150 A依次遞增5 A,恒溫箱溫度從35 ℃到125 ℃依次遞增10 ℃,記錄下各功率循環(huán)老化次數(shù)對(duì)應(yīng)的Vce、Ic和Tj的值。圖3 IGBT單脈沖測(cè)試實(shí)驗(yàn)電路

IGBT單脈沖測(cè)試實(shí)驗(yàn)電路

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]基于GA-BP算法的IGBT結(jié)溫預(yù)測(cè)模型[J]. 禹健,郭天星,高超.  自動(dòng)化與儀表. 2019(01)
[2]基于BAS-BP模型的風(fēng)暴潮災(zāi)害損失預(yù)測(cè)[J]. 王甜甜,劉強(qiáng).  海洋環(huán)境科學(xué). 2018(03)
[3]基于異類近鄰的支持向量機(jī)加速算法[J]. 陳景年,胡順祥,徐力.  計(jì)算機(jī)工程. 2018(05)
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碩士論文
[1]功率模塊IGBT結(jié)溫測(cè)量方法的研究[D]. 韓曄.河北工業(yè)大學(xué) 2017



本文編號(hào)：3028814