采用微機械剝離法得到橫向尺寸為10μm的碲化鍺（GeTe）納米片.通過電子束曝光和真空濺射鍍膜的方法,以鈦金合金為接觸電極,制備基于二維碲化鍺（2D-GeTe）納米材料的場效應(yīng)晶體管（FET）,并測定了其電學性能.結(jié)果表明,剝離所得GeTe納米材料具有良好的結(jié)晶性,光學帶隙為1.98 eV,屬于p型半導體;該場效應(yīng)晶體管展現(xiàn)出了6.4 cm2·V-1·s-1的載流子遷移率和670的開關(guān)電流比的良好電學性能. 

【文章來源】：高等學校化學學報. 2020,41(09)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 實驗部分
    1.1 試劑與儀器
    1.2 樣品制備
    1.3 電學性能測試
2 結(jié)果與討論
    2.1 XRD分析
    2.2 微觀形貌分析
    2.3 拉曼散射和光學帶隙分析
    2.4 場效應(yīng)晶體管電學性能
3 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]化學氣相沉積法制備InSe納米片及其近紅外光探測性能[J]. 黃文娟,候華毅,陳相柏,翟天佑.  高等學�；瘜W學報. 2020(04)
[2]制備條件對MXene形貌、結(jié)構(gòu)與電化學性能的影響[J]. 陳耀燕,趙昕,王哲,董杰,張清華.  高等學�；瘜W學報. 2019(06)



本文編號：3025991