基于PiN二極管的可重構固態(tài)等離子體天線由于其具有隱身性、高速可控性、成本低等特點,是實現(xiàn)天線小型化和提升雷達與微波通信系統(tǒng)性能的有效技術途徑,具有極強的研究價值。而Si/Ge/Si異質橫向S-PiN二極管作為固態(tài)等離子體天線材料與同質結二極管相比,可以有效提高天線性能。其中天線性能主要是由二極管中本征區(qū)載流子濃度以及分布決定,故其為應用于固態(tài)等離子體天線中的Si/Ge/Si異質橫向S-PiN二極管研究重點。本文在基于橫向PiN二極管的工作機制,闡述了其作為固態(tài)等離子天線的基本單元形成固態(tài)等離子體的機理,分析了固態(tài)等離子體的微波傳輸特性。提出采用Si/Ge/Si異質結橫向表面PiN二極管作為固態(tài)等離子體可重構天線基本單元提高固態(tài)等離子體濃度的方法,重點分析了Ge/Si異質結中能帶結構。研究并仿真了Si/Ge/Si異質結橫向表面PiN二極管本征區(qū)長度、厚度、電極長度以及P和N區(qū)的長度與深度等幾何結構參數(shù)對其本征區(qū)載流子的濃度與分布的影響。仿真結果表明,本征區(qū)載流子濃度與本征區(qū)長度、電極長度以及P和N區(qū)的長度和深度成反比,隨本征區(qū)厚度的增大先增大后減小。研究了其物理參數(shù)與固態(tài)等離子體的濃度... 

【文章來源】：西安電子科技大學陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：77 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
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第一章 緒論
    1.1 研究背景及意義
    1.2 國內(nèi)外研究概況
        1.2.1 國外研究現(xiàn)狀
        1.2.2 國內(nèi)研究現(xiàn)狀
    1.3 論文的主要工作和內(nèi)容安排
第二章 Si/Ge/Si異質橫向S-PiN二極管工作機制
    2.1 固態(tài)等離子體形成機理
    2.2 Si/Ge/Si異質結材料特性
    2.3 橫向S-PiN二極管工作機制
    2.4 本章小結
第三章 Si/Ge/Si異質橫向S-PiN二極管幾何參數(shù)優(yōu)化
    3.1 Si/Ge/Si異質橫向S-PiN二極管結構
    3.2 Si/Ge/Si異質橫向S-PiN二極管本征區(qū)載流子濃度理論分析
    3.3 幾何參數(shù)對固態(tài)等離子體濃度影響
        3.3.1 GOI層深度對固態(tài)等離子體濃度影響
        3.3.2 電極長度對固態(tài)等離子體濃度影響
        3.3.3 P區(qū)和N區(qū)尺寸對固態(tài)等離子體濃度影響
        3.3.4 i區(qū)長度對固態(tài)等離子體濃度影響
    3.4 本章小結
第四章 Si/Ge/Si異質橫向S-PiN二極管物理參數(shù)優(yōu)化
    4.1 PiN二極管物理效應對其本征區(qū)載流子濃度影響
        4.1.1 禁帶寬度變窄對本征區(qū)載流子濃度影響
        4.1.2 復合對本征區(qū)載流子濃度影響
        4.1.3 散射對本征區(qū)載流子濃度及其分布影響
    4.2 Si/Ge/Si異質橫向S-PiN二極管摻雜對固態(tài)等離子體濃度影響
    4.3 Si/Ge/Si異質橫向S-PiN二極管偏電對固態(tài)等離子體濃度影響
    4.4 本章小結
第五章 Si/Ge/Si異質S-PiN二極管設計
    5.1 Si/Ge/Si異質S-PiN二極管設計
    5.2 Si/Ge/Si異質橫向S-PiN二極管制備
    5.3 本章小結
第六章 結論
參考文獻
致謝
作者簡介


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：2999119