發(fā)布時(shí)間：2021-01-19 09:16

　　視覺(jué)是獲取信息的最重要手段。隨著移動(dòng)通信技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)顯示技術(shù)的要求也越來(lái)越高。發(fā)光二極管微顯示（Light Emitting Diode Microdisplay）被認(rèn)為是未來(lái)的顯示技術(shù),引起了行業(yè)的高度重視。Microdisplay是指面板對(duì)角線尺寸小于1英寸,像素密度大于1000 PPI（每英寸像素?cái)?shù)）的顯示技術(shù),有別于我們?nèi)粘Ｋ?jiàn)的手機(jī)、手提電腦和電視機(jī)等。LED具有工作電壓低、亮度與效率高、響應(yīng)速率快、結(jié)構(gòu)緊湊等優(yōu)點(diǎn),目前廣泛應(yīng)用于照明領(lǐng)域。當(dāng)LED單元尺寸縮小至微米量級(jí),即Micro Pixel LED,就可以用它制作出高性能的顯示器,優(yōu)于當(dāng)前主流的液晶顯示技術(shù)。本論文即圍繞著Micro Pixel LED應(yīng)用于顯示領(lǐng)域開(kāi)展了系統(tǒng)的研究工作。主要內(nèi)容:一、發(fā)光二極管微顯示的系統(tǒng)設(shè)計(jì),如發(fā)光像素與對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì);器件制作流程設(shè)計(jì),光學(xué)掩膜版的制備與改進(jìn)。二、介紹了 LED微顯示器件制作的主要設(shè)備,開(kāi)發(fā)了綠色對(duì)角線0.42英寸（長(zhǎng)9.6 mm寬5.4 mm）分辨率480×270（1/16高清）的微顯示芯片,包括所用藍(lán)寶石襯底氮化鎵發(fā)光二極管外延片的評(píng)估、光刻、刻蝕、鍍膜... 

【文章來(lái)源】：南昌大學(xué)江西省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：97 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 微型像素LED研究進(jìn)展
        1.1.1 國(guó)外研究進(jìn)展
        1.1.2 國(guó)內(nèi)研究進(jìn)展
    1.2 發(fā)光的理論
        1.2.1 發(fā)光二極管基本結(jié)構(gòu)
        1.2.2 載流子復(fù)合機(jī)制
        1.2.3 電流擁擠效應(yīng)
    1.3 表征發(fā)光二極管微顯示器件的幾個(gè)重要參數(shù)
        1.3.1 發(fā)光亮度
        1.3.2 發(fā)光效率
        1.3.3 發(fā)光光譜
        1.3.4 色坐標(biāo)
        1.3.5 色彩空間
        1.3.6 電壓-電流密度-亮度曲線
    1.4 論文的主要研究?jī)?nèi)容
第2章 發(fā)光二極管微顯示器件設(shè)計(jì)
    2.1 驅(qū)動(dòng)像素電路策略比較
    2.2 硅基CMOS驅(qū)動(dòng)像素電路設(shè)計(jì)
    2.3 微型發(fā)光二極管的像素設(shè)計(jì)
    2.4 微型發(fā)光二極管像素的工藝流程
    2.5 光學(xué)掩模版的設(shè)計(jì)
    2.6 微顯示芯片設(shè)計(jì)的整體方案
    2.7 本章總結(jié)
第3章 發(fā)光二極管微顯示器件制作
    3.1 工藝與測(cè)試的設(shè)備
        3.1.1 光刻系統(tǒng)
        3.1.2 電感耦合等離子刻蝕機(jī)
        3.1.3 電子束蒸鍍及磁控濺射系統(tǒng)
        3.1.4 發(fā)光二極管電學(xué)測(cè)試平臺(tái)
        3.1.5 發(fā)光二極管光電綜合測(cè)試系統(tǒng)
    3.2 發(fā)光外延片的襯底與外延結(jié)構(gòu)
        3.2.1 發(fā)光外延片襯底的類(lèi)型
        3.2.2 發(fā)光外延片結(jié)構(gòu)
    3.3 發(fā)光外延片的品質(zhì)對(duì)發(fā)光器件的影響
        3.3.1 顯微鏡缺陷檢測(cè)
        3.3.2 外延片的光致發(fā)光
        3.3.3 翹曲度的測(cè)量
        3.3.4 表面電阻率的測(cè)量
        3.3.5 外延片質(zhì)量對(duì)發(fā)光器件的影響
    3.4 發(fā)光二極管微顯示器件像素圖形制作
        3.4.1 微電子技術(shù)簡(jiǎn)介
        3.4.2 綠色微型發(fā)光二極管的制程
    3.5 發(fā)光外延片襯底的減薄、研磨、拋光
    3.6 硅基CMOS驅(qū)動(dòng)芯片的圖形化工藝及發(fā)光器件封裝技術(shù)
        3.6.1 硅基驅(qū)動(dòng)芯片的圖形化工藝
        3.6.2 發(fā)光器件的倒裝焊（Flip Chip）鍵合
        3.6.3 發(fā)光二極管微顯示器的封裝技術(shù)
    3.7 本章總結(jié)
第4章 微型發(fā)光二極管陣列的全屏點(diǎn)亮中測(cè)研究
    4.1 全屏點(diǎn)亮目的
    4.2 中測(cè)階段的工藝設(shè)計(jì)及實(shí)施
        4.2.1 中測(cè)的工藝設(shè)計(jì)
        4.2.2 中測(cè)實(shí)施
    4.3 電學(xué)連接載臺(tái)的設(shè)計(jì)及制作
        4.3.1 印制電路板（PCB）的選擇
        4.3.2 電學(xué)連接載臺(tái)的設(shè)計(jì)
    4.4 測(cè)試實(shí)施
        4.4.1 視覺(jué)成像系統(tǒng)
        4.4.2 光學(xué)自動(dòng)化檢測(cè)
    4.5 本章總結(jié)
第5章 器件光電特性的研究及分析
    5.1 光電特性
    5.2 器件的發(fā)光角度
    5.3 尺寸對(duì)微型LED電學(xué)特性的影響
    5.4 本章總結(jié)
第6章 結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Full-color monolithic hybrid quantum dot nanoring micro light-emitting diodes with improved efficiency using atomic layer deposition and nonradiative resonant energy transfer[J]. SUNG-WEN HUANG CHEN,CHIH-CHIANG SHEN,TINGZHU WU,ZHEN-YOU LIAO,LEE-FENG CHEN,JIA-ROU ZHOU,CHUN-FU LEE,CHIH-HAO LIN,CHIEN-CHUNG LIN,CHIN-WEI SHER,PO-TSUNG LEE,AN-JYE TZOU,ZHONG CHEN,HAO-CHUNG KUO.  Photonics Research. 2019(04)
[2]Towards 10 Gb/s orthogonal frequency division multiplexing-based visible light communication using a GaN violet micro-LED[J]. MOHAMED SUFYAN ISLIM,RICARDO X.FERREIRA,XIANGYU HE,ENYUAN XIE,STEFAN VIDEV,SHAUN VIOLA,SCOTT WATSON,NIKOLAOS BAMIEDAKIS,RICHARD V.PENTY,IAN H.WHITE,ANTHONY E.KELLY,ERDAN GU,HARALD HAAS,MARTIN D.DAWSON.  Photonics Research. 2017(02)
[3]電極結(jié)構(gòu)對(duì)AlGaInP-LED陣列電流分布的影響[J]. 尹悅,梁靜秋,梁中翥,王維彪.  發(fā)光學(xué)報(bào). 2011(10)
[4]藍(lán)、綠光LED芯片技術(shù)發(fā)展歷程及展望[J]. 劉榕.  現(xiàn)代顯示. 2010(05)



本文編號(hào)：2986735