自從石墨烯在2004年被發(fā)明以來,二維材料以其優(yōu)異的結構和性能逐漸受到人們的關注。憶阻器作為一種新型的電子器件在2008年也第一次被惠普公司發(fā)明。憶阻器,由于其電阻狀態(tài)是隨施加電壓的變化而改變,可以用在神經模擬、數據存儲、邏輯運算等方向。因此,將這兩個前沿方向結合在一起研究,具有很重要的意義。本文主要探索新型二維材料MoTe₂在憶阻器方面上的應用,主要研究內容如下:（1）通過前驅體MoO₃的厚度來制備大面積的MoTe₂薄膜和MoTe_2-xO_x/MoTe₂異質結,這種方法只需控制MoO₃的厚度,其余外部條件都相同。結果是薄的MoO₃產生1T’相MoTe₂,隨著MoO₃厚度的增加,薄膜中逐漸出現2H相,當MoO₃厚度是25 nm時,1T’相MoTe₂就全部變成了2H相MoTe₂。（2）研究兩種相MoTe

【文章來源】：華中科技大學湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

中國半導體市場的規(guī)模及增長

2華 中 科 技 大 學 碩 士 學 位 論 文圖1.2 中國半導體市場的應用結構Fig.1.2 The applied structure about Chinese semiconductor market自從英國科學家安德烈·海姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫在2004年利用膠帶剝離方法從石墨片中得到石墨烯以來，二維材料的研究受到越來越多人的關注，這兩人也因他們的杰出貢獻而獲得2010年諾貝爾物理獎[2]。其中，二維過渡金屬硫族化合物（TMDs）因為其獨特的結構和性能，在多個領域都有著廣泛的應用前景，例如半導體光電器件、生物醫(yī)學和能源催化等領域。憶阻器，作為一種新型的非線性電子元器件，近年來也受到科研工作者的普遍關注。它的電阻值并不是恒定不變的，而是隨著電壓的變化而改變。憶阻器主要有以下三個用途：數據存儲、邏輯運算和神經模擬[3]。其中神經模擬主要是利用憶阻器的電流特性來模仿生物的神經突觸，可以用來模仿人類的學習記憶、忘記等行為，這是在硬件上來進行人工智能。相比于如今利用計算機代碼進行人工智能，會在硬件上簡化很多

但是石墨烯沒有能帶間隙，這限制了石墨烯在晶體管（FET）上的應用。圖1.3 石墨烯結構圖Fig.1.3 The structure of graphene1.2.2 MoS2二維過渡金屬硫族化合物（TMDs）是一種類似于石墨烯的二維層狀材料，其化學成分可以寫成MX2，其中M指的是過渡金屬元素（如Mo、W等），X指的是S族元素（如S、Se、Te等）。每一個TMD單層是由三層原子組成，其結構類似于一個三明治結構。TMDs的獨特結構，使得TMDs可以形成不同的晶體結構。以MoS2為例，如圖所示，MoS2具有4種不同的晶體結構。根據Mo原子和S原子的配位方式和堆疊順序

【參考文獻】：
期刊論文
[1]2018中國半導體市場年會引領芯時代,把握芯機遇,共謀芯發(fā)展[J]. 孫遠峰,張磊.  集成電路應用. 2018(05)



本文編號：2984552