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有機半導體中本征雙極性載流子傳輸和缺陷態(tài)的研究

發(fā)布時間:2021-01-17 05:58
  有機半導體中的載流子傳輸對有機器件的性能有著至關的影響。在傳統(tǒng)的概念中,有機半導體通常被劃分為空穴傳輸型(p型)和電子傳輸型(n型)材料。但是空穴在HOMO能級中傳輸,電子在LUMO能級中傳輸,所以這種簡單的模型分析就能輕易的得到一個初步的理論結果:有機半導體中的載流子傳輸應該是本征雙極性的。然后我們將五個廣泛使用的傳統(tǒng)“空穴傳輸材料”都分別制作成只傳空穴型和只傳電子型器件以探測這五個材料的空穴和電子遷移率。實驗結果表明五個材料的空穴和電子遷移率都基本上在一個數(shù)量級,說明這些材料都是本征雙極性傳輸?紤]到所使用的器件是簡單的雙電極結構,并且沒有額外的電極修飾,所以我們的實驗數(shù)據(jù)可以說真實的展現(xiàn)了有機半導體中的雙極性傳輸特性。在雙極性傳輸?shù)膶嶒炛?我們還觀察到了遷移率曲線對于空穴和電子傳輸有著不一樣的斜率。通常這種特殊的現(xiàn)象都歸因于缺陷態(tài)。然后我們測量了兩個不同化學結構的有機材料,NPB和β-NPB的載流子遷移率以及他們的AFM圖。結果表明,傳統(tǒng)的缺陷態(tài)理論不能解釋這種特殊的現(xiàn)象,因此我們課題組提出了一種新的雙極性傳輸模型:HOMO和LUMO能量空間中存在著特殊的缺陷態(tài),它們在電場的作用... 

【文章來源】:南京郵電大學江蘇省

【文章頁數(shù)】:81 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

有機半導體中本征雙極性載流子傳輸和缺陷態(tài)的研究


有機半導體分子內(nèi)電荷傳輸.

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圖 2-2 有機半導體分子間電荷傳輸2.3 實驗部分一些研究已經(jīng)報道了 OFET 中的雙極性傳輸特性[26-29]。但是眾所周知,OFET 器件有三個電極:源極、漏極和柵極,這就說明 OFET 中存在多重電場,所以在溝道(一種傳導層)中的電荷傳輸并不只是被單一的電場所控制。甚至,為了實現(xiàn) OFET 中所謂的雙極性傳輸,一些界面修飾必須被應用至器件上[26],很明顯這種修飾會對有機半導體內(nèi)部的電場產(chǎn)生影響。所以,由于 OFET 中多重電場對電荷傳輸巨大的影響,其中的雙極性傳輸不能視為有機半導體的本征雙極性傳輸。二極管,結構和三明治類似,因為只有一個電場,從陽極到陰極,并且沒有任何復雜的電極修飾過程,所以相比較 OFET,二極管的載流子傳輸會更加接近于有機半導體中的本征電荷傳輸。因此我們課題組采用二極管結構研究有機半導體的雙極性傳輸

曲線,導納譜,測量圖,黑箱系統(tǒng)


我們把它看作一個黑箱系統(tǒng)。我們在黑箱的另一端輸出,我們稱為輸出信號。由于探測信這樣,我們就可以在不知道黑箱系統(tǒng)內(nèi)部結構特征之間的關系,建立一個數(shù)學模型,從模型中我們可的研究在各個科學領域尤其是材料類領域中普遍存多的研究系統(tǒng)都無法直接得出其性能,只能通過間凝聚態(tài)結構相對較為復雜,因為其大多數(shù)為無定型件其形態(tài)性能特征各不相同,直接研究起來十分困功能,它可以從側(cè)面通過譜學曲線間接的研究有機種基于空間限制電流法(SCLC)使用小交流正弦信子動力學的方法。具體如下:

【參考文獻】:
期刊論文
[1]基于量子粒子群算法的混沌系統(tǒng)參數(shù)辨識[J]. 張宏立,宋莉莉.  物理學報. 2013(19)
[2]基于PSO優(yōu)化LSSVM的未知模型混沌系統(tǒng)控制[J]. 龍文,焦建軍,龍祖強.  物理學報. 2011(11)
[3]基于粒子群算法和OGY方法的混沌系統(tǒng)混合控制[J]. 王校鋒,薛紅軍,司守奎,姚躍亭.  物理學報. 2009(06)



本文編號:2982329

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