納米尺度金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管溝道熱噪聲模型
發(fā)布時(shí)間:2021-01-16 14:31
隨著CMOS工藝的發(fā)展,熱載流子效應(yīng)對(duì)溝道熱噪聲的影響隨著器件尺寸的降低而增大,傳統(tǒng)熱噪聲模型未能準(zhǔn)確表征溝道的熱噪聲.本文通過(guò)解能量平衡方程,得到電子溫度表達(dá)式,并結(jié)合溝道漏電流表達(dá)式,建立了溝道熱噪聲模型.利用建立的電子溫度表達(dá)式,該熱噪聲模型考慮了熱載流子效應(yīng)的影響,并且在計(jì)算熱噪聲的過(guò)程中考慮了電子溫度對(duì)遷移率降低的影響以及溫度梯度對(duì)熱噪聲的影響.通過(guò)分析與計(jì)算,結(jié)果顯示,隨著器件尺寸的減小,溫度梯度對(duì)電子溫度產(chǎn)生顯著影響,使得熱載流子效應(yīng)的影響增大,熱載流子效應(yīng)對(duì)熱噪聲的增長(zhǎng)作用超過(guò)了遷移率降低對(duì)熱噪聲的減小作用,最終導(dǎo)致熱噪聲增大.本文建立的溝道熱噪聲模型可應(yīng)用于納米尺寸金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的噪聲性能分析及建模.
【文章來(lái)源】:物理學(xué)報(bào). 2020,69(05)北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:8 頁(yè)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]超短溝道絕緣層上硅平面場(chǎng)效應(yīng)晶體管中熱載流子注入應(yīng)力導(dǎo)致的退化對(duì)溝道長(zhǎng)度的依賴性[J]. 劉暢,盧繼武,吳汪然,唐曉雨,張睿,俞文杰,王曦,趙毅. 物理學(xué)報(bào). 2015(16)
本文編號(hào):2980996
【文章來(lái)源】:物理學(xué)報(bào). 2020,69(05)北大核心
【文章頁(yè)數(shù)】:8 頁(yè)
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]超短溝道絕緣層上硅平面場(chǎng)效應(yīng)晶體管中熱載流子注入應(yīng)力導(dǎo)致的退化對(duì)溝道長(zhǎng)度的依賴性[J]. 劉暢,盧繼武,吳汪然,唐曉雨,張睿,俞文杰,王曦,趙毅. 物理學(xué)報(bào). 2015(16)
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