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重?fù)诫s對(duì)直拉硅單晶機(jī)械性能的影響

發(fā)布時(shí)間:2020-12-16 13:59
  硅單晶的機(jī)械性能是包括集成電路在內(nèi)的器件的制造和封裝的限制因素。同時(shí),硅單晶的機(jī)械性能還在無(wú)位錯(cuò)單晶生長(zhǎng)、外延沉積以及硅片加工中起到十分重要的作用。因此,在過去的數(shù)十年中已經(jīng)涌現(xiàn)出大量有關(guān)硅單晶機(jī)械性能的研究工作。盡管如此,硅單晶的機(jī)械性能的研究依舊不如電學(xué)性能和光學(xué)性能的研究那樣深刻。因此,豐富硅單晶的機(jī)械性能的研究顯得很有必要。本文利用顯微壓痕、納米壓痕、超聲回波和四點(diǎn)彎曲等方法詳細(xì)研究了高濃度的磷、砷、銻和錫等雜質(zhì)對(duì)直拉硅單晶的硬度、彈性模量、斷裂韌性和抵抗位錯(cuò)滑移的能力等機(jī)械性能的影響,得到的如下主要結(jié)果:對(duì)比研究了重?fù)搅缀椭負(fù)缴閷?duì)直拉硅單晶的機(jī)械性能的影響。從顯微壓痕的尺寸,得知重?fù)搅坠鑶尉П戎負(fù)缴楣鑶尉Ь哂猩愿叩木S氏硬度。納米壓痕和超聲回波兩種表征方法都表明重?fù)搅坠鑶尉П戎負(fù)缴楣鑶尉Ь哂新愿叩臈钍夏A。結(jié)合納米壓痕和顯微拉曼光譜,指出:相比于重?fù)搅坠鑶尉?重?fù)缴楣鑶尉г诩{米壓痕的加載過程中,金剛石立方相(Si-Ⅰ相)向體心立方相(Si-Ⅱ相)的轉(zhuǎn)變更為顯著。通過對(duì)維氏壓痕出現(xiàn)側(cè)裂紋頻率和長(zhǎng)度的統(tǒng)計(jì)分析,結(jié)合維氏壓痕法的斷裂韌性計(jì)算結(jié)果,重?fù)搅坠鑶尉Ь哂懈叩臄嗔秧g性,并用密... 

【文章來(lái)源】:浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】:68 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

重?fù)诫s對(duì)直拉硅單晶機(jī)械性能的影響


圖2.1硅單晶結(jié)構(gòu)示意圖,球表示硅原子,粗實(shí)線表示原子間的成鍵??

示意圖,晶向,晶面,硅單晶


2.2硅單晶的基本力學(xué)性能??2.2.1硅單晶的晶體結(jié)構(gòu)??硅單晶的化學(xué)鍵Si-Si鍵為共價(jià)鍵,其鍵強(qiáng)為310KJ?m〇r1[27]。圖2.1為硅單??晶的晶體結(jié)構(gòu)示意圖[7],硅單晶的晶體結(jié)構(gòu)是典型的金剛石立方結(jié)構(gòu),其晶格常??數(shù)為0.543?nm。硅單晶的最密排面是{111}面,密排方向?yàn)椋迹保保埃揪,滑移系??{111丨<110>,因此硅單晶是各向異性材料,同時(shí)也是一種脆性材料。????V/????7?V???????????圖2.1硅單晶結(jié)構(gòu)示意圖,球表示硅原子,粗實(shí)線表示原子間的成鍵??Fig.?2.1?Schematic?diagram?of?the?crystal?structure?of?silicon;?atom?positions?are?shown?as?spheres,??bonds?as?bold?solid?lines.??2.2.2硅單晶的硬度??硬度是一種用來(lái)描述材料抵抗遭受永久破壞的性質(zhì)。硬度是長(zhǎng)久以來(lái)測(cè)試材??-?料機(jī)械性能的一個(gè)有效的指標(biāo)。硬度并非一個(gè)基礎(chǔ)物理量,可以通過測(cè)試方法來(lái)??分類,主要有三類,分別為靜態(tài)壓入硬度、劃入硬度以及動(dòng)態(tài)壓入硬度[28]。其??中靜態(tài)壓入壓痕最為常用

區(qū)熔硅,硅單晶,摻氮,應(yīng)力應(yīng)變曲線


?轉(zhuǎn)變溫度約為其熔點(diǎn)的一般,對(duì)于硅單晶材料,脆塑轉(zhuǎn)變溫度在550°C左右。當(dāng)??溫度高于脆塑轉(zhuǎn)變溫度時(shí),圖2.3所示為在高溫時(shí)不同條件下的硅單晶的應(yīng)力應(yīng)??變曲線,表現(xiàn)出了良好的延展性[3()]。??^?A0-?^*?0x10*?^?A〇-??!?^?!??^?A-r2x?〇5?I?A??.x?A?I?J?fX?I?L??(a)〇?SHEAR?ItRA,,,)?10?(b)°?湖?W。??圖2.3不同位錯(cuò)濃度的硅單晶在800°C下的應(yīng)力應(yīng)變曲線(a)摻氮區(qū)熔硅,(b)普通高純??區(qū)熔硅[3()]。??FIG.?2.3?Stress-strain?curves?of?crystals?with?various?dislocation?densities?at?800°C,?(a)??Nitrogen-doped?floating-zone-grown?(FZ-Si)?silicon,?(b)?Usual?Fz-Si?of?high?purity[30]..??2.2.5硅單晶的斷裂韌性??斷裂韌性可以反映材料抑制裂紋擴(kuò)展的能力。對(duì)于不同的材料,表征斷裂韌??性的手段也不一樣。拉伸試驗(yàn)一般用來(lái)測(cè)試塑形材料的斷裂韌性,而不能用在脆??性材料上。對(duì)于脆性材料


本文編號(hào):2920273

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