作為功率集成電路中至關重要的元器件,橫向功率器件一直是相關從業(yè)人員的研究重點與熱點。而器件的耐壓以及導通性能對于應用于高壓集成電路中是最關鍵的因素,國內(nèi)外對于橫向功率器件的性能優(yōu)化從未停止。并且在器件優(yōu)化的過程中,橫向功率器件縱向耐壓受限問題越來越凸顯。REBULF理論以及電場調(diào)制技術(shù)等,為功率器件的性能優(yōu)化做出了指導性的思路。本文在此基礎上,并結(jié)合功率器件優(yōu)化過程,提出橫向功率器件縱向電場調(diào)制理論技術(shù),對于橫向功率器件縱向電場進行針對性的優(yōu)化。并且在此基礎上提出兩種新型器件結(jié)構(gòu),分別為ADSL LDMOS以及ADSL SJ-LDMOS。對于橫向功率器件縱向耐壓受限問題提出了解決思路。本文具體所做的創(chuàng)新工作包括:（1）通過分析橫向功率器件體內(nèi)場及縱向電場優(yōu)化思想,并結(jié)合REBULF理論以及電場調(diào)制技術(shù)等,針對優(yōu)化橫向功率器件縱向電場分布以及解決縱向耐壓問題,在前述縱向耐壓優(yōu)化理論及結(jié)構(gòu)優(yōu)化的基礎上,提出橫向功率器件縱向電場調(diào)制理論。該理論通過優(yōu)化橫向功率器件縱向電場,充分發(fā)掘器件襯底耐壓能力,緩解了橫向功率器件擊穿電壓飽和現(xiàn)象,在優(yōu)化器件縱向電場分布的同時,對表面電場也有充分的優(yōu)化作用... 

【文章來源】：西安電子科技大學陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：77 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
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縮略語對照表
第一章 緒論
    1.1 功率半導體器件研究的意義與背景
    1.2 橫向功率器件技術(shù)概述
    1.3 LDMOS橫向優(yōu)化技術(shù)
        1.3.1 結(jié)終端技術(shù)簡介
        1.3.2 RESURF技術(shù)
        1.3.3 橫向變摻雜技術(shù)
        1.3.4 電場調(diào)制技術(shù)
        1.3.5 導通電阻優(yōu)化
        1.3.6 LDMOS橫向優(yōu)化技術(shù)小結(jié)
    1.4 仿真軟件介紹
    1.5 本論文的內(nèi)容及工作安排
第二章 橫向功率器件縱向電場調(diào)制技術(shù)
    2.1 橫向功率器件縱向電場優(yōu)化思想
        2.1.1 橫向功率器件耐壓特性
        2.1.2 縱向電場優(yōu)化技術(shù)
    2.2 橫向功率器件體內(nèi)場優(yōu)化技術(shù)
        2.2.1 P型埋層體內(nèi)場優(yōu)化
        2.2.2 REBULF技術(shù)
        2.2.3 介質(zhì)層電場增強技術(shù)
    2.3 縱向電場調(diào)制理論
    2.4 本論文的主要創(chuàng)新工作
第三章 具有縱向輔助耗盡襯底層新型LDMOS
    3.1 器件結(jié)構(gòu)及原理
    3.2 器件機理仿真分析
    3.3 器件結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化
    3.4 器件工藝制備
    3.5 本章小結(jié)
第四章 具有縱向電場調(diào)制的橫向超結(jié)功率器件
    4.1 橫向超結(jié)LDMOS
        4.1.1 超結(jié)功率MOS理論
        4.1.2 橫向超結(jié)LDMOS發(fā)展
        4.1.3 橫向超結(jié)LDMOS耐壓特性
    4.2 具有襯底輔助耗盡層的SJ-LDMOS新結(jié)構(gòu)
        4.2.1 器件結(jié)構(gòu)及原理
        4.2.2 器件機理仿真分析
        4.2.3 器件結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化
    4.3 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻
致謝
作者簡介


【參考文獻】：
期刊論文
[1]具有n+浮空層的體電場降低LDMOS結(jié)構(gòu)耐壓分析[J]. 張波,段寶興,李肇基.  半導體學報. 2006(04)
[2]階梯埋氧型SOI結(jié)構(gòu)的耐壓分析[J]. 段寶興,張波,李肇基.  半導體學報. 2005(07)
[3]p-n+結(jié)有場板時表面電場分布的簡單表示式[J]. 陳星弼.  電子學報. 1986(01)

博士論文
[1]橫向超結(jié)功率器件的REBULF理論與新技術(shù)[D]. 王文廉.電子科技大學 2010
[2]橫向高壓DMOS體內(nèi)場優(yōu)化與新結(jié)構(gòu)[D]. 成建兵.電子科技大學 2009
[3]橫向高壓器件電場調(diào)制效應及新器件研究[D]. 段寶興.電子科技大學 2007
[4]SOI橫向高壓器件耐壓模型和新器件結(jié)構(gòu)研究[D]. 郭宇鋒.電子科技大學 2005



本文編號：2896513