微結構硅基光子學器件性能的研究
【學位單位】:南京大學
【學位級別】:博士
【學位年份】:2019
【中圖分類】:TN36
【部分圖文】:
圖1.2典型的硅基光電子芯片示意圖丨10丨。??Figure?1.2?Schematic?diagram?of?typical?silicon?optoelectronic?chip?|10|.??圖1.2是一個典型的硅基光電子芯片。圖中顯示了調制器、探測器、耦合器、??波導等器件,此外還需要在芯片上集成光源以形成一個完整的硅基光電子芯片。??在通訊的應用場景下,往往還需要復用和解復用器件。整個芯片的性能由這些器??件或子系統(tǒng)的性能共同決定,因此提升這些硅基光子器件的性能是一個十分重要??的課題。除了利用基于傳統(tǒng)理論的設計和優(yōu)化方法外,將其他領域的理論向光學??2??
?第一章緒論???保形成波導底部的較寬硅層。這種復雜且對精準度要求較高的微加工工藝流程是??將脊波導推向大規(guī)模生產的巨大阻力,即使在實驗室階段,也更愿意使用方波導??以降低對微加工工藝的要求。此外,一種方便加工的槽波導也被提出并實現(xiàn)[17,??18]。與上述兩種波導不同的是,槽波導電場最強的地方在兩個硅條中間的空氣??槽中。這種性質將使得暴露在硅條外的電場可以與增益材料更加高效的相互作用,??從而提高全光開關[19]、光學放大器[20]和光學探測器[21]的性能。當然,這種被??局域在幾I?寬度內的強電場,也可以用于多種場景下的高靈敏度光學傳感器??丨22,?23]。以上三種波導的橫截面以及場分布示意圖如下圖所示。??
(2)分光器??分光器是集成光互連領域不可或缺的組成部分,它可以將信號送到芯片的不??同部分。如圖1.4所示,常見的分光器件包括Y結[26]、定向耦合器[27]、絕熱??3dBf禺合器[28]和基于多模干涉(Multi-mode?interference,MMI)的器件[29]等。??此外,還有一些基于lxN環(huán)型諧振腔[30]和倒梯形波導(Inversetaper)?[31]的結??構也有相關研究,但是這些結構對微加工工藝的要求相對較高才能保證其性能。??a,b?c,??Outl?Inl?.?rwi??*?Outl??III*?In??In2?〇ut2??〇ut2?Out2??圖1.4分光器件示意圖,其中紅色為Si,灰色為Si02。(a)?1x2?Y結。(b)?2x2絕熱3dB??耦合器^?(c)?lx2MMI。??Figure?1.4?Schematic?diagrams?of?beam?splitters,?in?which?red?represents?silicon?and?gray??represents?Si〇2.?(a)?1x2?V-junction.?(b)?2x2?adiabatic?3dB?coupler
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