硅基光器件設計技術研究
【學位授予單位】:北京郵電大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:TN36
【圖文】:
逡逑圖1.邋1猶他大學研究組基于逆設計的偏振分束器。(a)器件結構及主要結構參數;(b)邋TE模光場;逡逑(c)邋TM模光場。逡逑最終使用這樣的方式設計得到的偏振分束器耗時大約為140小時。其中從優(yōu)化算逡逑法方面來講,研究組使用的DBS算法本質上是一種暴力搜索方法,即需要遍歷設計區(qū)逡逑域的所有點,并且重復迭代多次這個過程已達到消除擾動的隨機性,這就大大增加了逡逑計算次數。另外在每一次更改像素狀態(tài)時都需要重新計算電磁場,在計算電磁場時,逡逑該研究組使用的是時域有限差分算法(finite-difference邋time-domain,FDTD)。該算法對逡逑微分方程的收斂性有較高的要求,除此之外,在進行網格差分時,時域網格與空間網逡逑格之間的關系往往導致仿真結果存在額外引入的數值色散。并且FDTD在時域進行迭逡逑代運算的方式決定了其無法在計算上實現真正意義上的并行計算,只能憑借多臺計算逡逑機組成集群或者多核計算機進行并行計算,需要消耗額外計算機資源,并且計算速度逡逑緩慢。除此之外
第二種逆設計方式是由斯坦福大學的納米光子學研究組提出[19],該組利用逆設逡逑計的方法得到了邋1300/1500nm的解波分復用器(wave邋demultiplexer),其基于SOI制作逡逑的器件掃描電鏡圖如圖1.邋2所示。逡逑__■■彳邋i逡逑圖1.2邐(a)器件掃描電鏡圖;(b)器件仿真的光場分布。逡逑器件整體的耦合區(qū)域為2.8umx2.8um的正方形,整體器件的刻蝕深度為220nm,逡逑4逡逑
在光波長1530-1560nm范圍內,分光性能較好,總透射率皆大于80%。北京郵電大學逡逑研究組借鑒斯坦福大學的逆設計方首次在絕緣體硅工藝上實現了邋T形結的功能[24],逡逑如圖1.3所示,其中器件仿真空間格點尺寸為20nm,格點數目為200x200x80。器件逡逑實現了在光源波長為1550nm處兩個輸出端口的歸一化功率比為50.4%:49.6%,插入損逡逑耗為邋0.56dB。逡逑9邋?懤逡逑圖1.3邋T型波導SEM圖(a)T型波導的器件結構(b)電場強度分布及輸出模場逡逑1.3逆設計中高性能計算逡逑硅基光器件逆設計的發(fā)展與近年來高性能算力的發(fā)展有著緊密的聯(lián)系,高性能計逡逑算特別是基于GPU的并行計算的普及為大數據量的計算提供了豐沃的土壤。當前高性逡逑能計算在科學研究、工程技術、以及軍事技術方面取得了巨大的成就,其中異構計算逡逑模式效能優(yōu)勢明顯,尤其是“主處理器+協(xié)處理器”的異構計算形式已經成為高性能逡逑計算的發(fā)展趨勢。主流的協(xié)處理器包括FPGA(Field-Programmable邋Gate邋Array)[25],逡逑GPU(Graphics邋Processing邋Unit),APU(Accelerated邋Processing邋Unit)[26]等,這些新型的協(xié)逡逑處理器為大規(guī)模的科學計算與工程模擬計算提供了巨大的便利。其中GPU近些年來得逡逑到了越來越多的研究發(fā)展,其并行計算能力己經成為當前計算科學與應用技術的研究逡逑熱點。逡逑在硅基光器件逆設計中
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