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二維鐵磁材料的制備及其自旋器件的研究

發(fā)布時(shí)間:2020-08-12 18:47
【摘要】:電子擁有兩個(gè)內(nèi)稟屬性:電荷自由度和自旋自由度。傳統(tǒng)的電子器件是通過(guò)操控電子電荷自由度來(lái)實(shí)現(xiàn)信息的處理。然而,因?yàn)榱孔有?yīng)的存在,“摩爾定律”的失效使得基于電荷自由度的電子器件在微型化、集成化等方面出現(xiàn)了大的瓶頸。因此,人們嘗試?yán)秒娮拥淖孕杂啥葋?lái)制備新型器件。隨著對(duì)電子自旋自由度的深入研究,“自旋電子學(xué)”應(yīng)運(yùn)而生了。自旋電子學(xué)的研究目標(biāo)是探究電子自旋極化輸運(yùn)性能以及開發(fā)基于自旋電子學(xué)的功能器件。相比于傳統(tǒng)的電子器件,基于自旋電子學(xué)的器件擁有眾多優(yōu)勢(shì),包括信息處理速度快、功耗低、穩(wěn)定性好、集成度高。特別的,在磁性半導(dǎo)體材料中,載流子是擁有自旋極化特性的,因此可以同時(shí)利用電子的兩個(gè)自由度,這將可能發(fā)展出微電子器件的新功能。進(jìn)而發(fā)展出另一種信息處理技術(shù)模式,即信息的傳輸、處理和存儲(chǔ)可以通過(guò)電荷自由度和自旋自由度兩個(gè)參量來(lái)控制。另一方面,自石墨烯被證實(shí)為穩(wěn)定的二維材料以來(lái),眾多的二維材料因在電學(xué)、力學(xué)、光學(xué)以及能源等方面表現(xiàn)出獨(dú)特的性能而被廣大科研工作者所關(guān)注。近幾年來(lái)關(guān)于二維材料本征磁性的發(fā)現(xiàn)為二維材料的發(fā)展開辟了另一個(gè)新道路,使得二維材料有可能被應(yīng)用到自旋電子學(xué)器件中。但關(guān)于二維材料本征磁性的機(jī)理還有待研究,基于磁性二維材料的器件設(shè)計(jì)與制備同樣需要深入探索。本論文首先合成了二維材料CrBr3,證實(shí)了該材料本征磁性的存在。在此基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)和發(fā)展了基于磁性二維材料的自旋器件,并實(shí)現(xiàn)了器件性能的可控調(diào)節(jié)。本文的具體內(nèi)容總結(jié)如下:(1)通過(guò)自主搭建的管式爐成功合成了 CrBr3單晶。對(duì)單晶CrBr3樣品進(jìn)行了一系列的物性表征。XRD確認(rèn)了合成的晶體為(00l)取向的單晶。XPS、TEM和拉曼測(cè)試均證實(shí)了合成的CrBr3為單晶且沒(méi)有雜質(zhì)。通過(guò)熒光光譜的測(cè)試確定了單晶CrBr3的帶隙為1.35eV。通過(guò)磁性測(cè)試,確定了CrBr3的鐵磁性,其居里溫度為32 K,矯頑場(chǎng)約為50 Oe,飽和場(chǎng)約為8kOe。通過(guò)磁各向異性的測(cè)試表明CrBr3呈現(xiàn)出明顯的磁各向異性,易極化軸為c軸。(2)采用機(jī)械剝離和異質(zhì)結(jié)堆疊方法,成功制備了 G/CrBr3異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件。通過(guò)對(duì)石墨烯的電輸運(yùn)性能進(jìn)行測(cè)試,我們證實(shí)了在石墨烯和鐵磁CrBr3之間存在明顯的磁近鄰效應(yīng)。石墨烯中反;魻柗至康某霈F(xiàn)證明了磁近鄰效應(yīng)在石墨烯中引入了鐵磁性。且隨著溫度的升高,磁近鄰效應(yīng)逐漸減弱。但高于CrBr3居里溫度以上仍可以觀察到反常霍爾分量是因?yàn)槭┖虲rBr3之間存在釘扎效應(yīng)。當(dāng)施加的磁場(chǎng)方向平行于電流方向時(shí),石墨烯中仍可以觀察到反;魻柗至,且出現(xiàn)了明顯的負(fù)磁阻。證明了在石墨烯中確實(shí)存在自旋極化載流子。另外,單獨(dú)石墨烯的測(cè)試,排除了雙載流子模型的影響。最終確定了通過(guò)磁近鄰效應(yīng)誘導(dǎo)了鐵磁性石墨烯。該器件的建立為將來(lái)構(gòu)建二維自旋電子學(xué)器件奠定了基礎(chǔ)。(3)制備了基于CrBr3的鐵磁隧穿結(jié)。研究了該隧穿結(jié)對(duì)磁場(chǎng)的依賴關(guān)系。研究發(fā)現(xiàn)隨著磁場(chǎng)的變化,隧穿電阻會(huì)出現(xiàn)平臺(tái)效應(yīng)。這種電阻的平臺(tái)是因?yàn)樵诖艌?chǎng)的作用下,電子譜以量子化的形式進(jìn)入朗道能級(jí);贑rBr3的鐵磁隧穿結(jié)存在磁輔助的隧穿機(jī)制。具體的隧穿機(jī)制是如何影響隧穿過(guò)程的還有待于進(jìn)一步研究。(4)制備了一種交叉結(jié)構(gòu)的石墨烯器件。該器件是通過(guò)堆疊兩個(gè)交叉石墨烯帶制備而成。該器件在電輸運(yùn)過(guò)程中存在兩種路徑,進(jìn)而導(dǎo)致器件中存在兩種電阻:面內(nèi)電阻和隧穿電阻,兩種電阻在器件中存在競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。通過(guò)改變器件的測(cè)試溫度,可以定量的調(diào)控兩種電阻在器件總電阻中的比例。高溫時(shí),面內(nèi)電阻占主導(dǎo),由磁場(chǎng)引入的電阻變化將導(dǎo)致整體電阻增加,從而表現(xiàn)為正磁阻。而低溫下,隧穿電阻占主導(dǎo),由磁場(chǎng)引入的電阻變化將導(dǎo)致整體電阻減小,從而表現(xiàn)為負(fù)磁阻;诖蟠抛枳兓,我們?cè)O(shè)計(jì)了簡(jiǎn)單的磁邏輯反相器,實(shí)現(xiàn)了器件性能的可控性。該反相器的建立為以后的磁邏輯器件設(shè)計(jì)奠定了基礎(chǔ)。
【學(xué)位授予單位】:中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TM271;TN03
【圖文】:

示意圖,巨磁阻效應(yīng),示意圖,自旋方向


逡逑并聯(lián)關(guān)系,如圖1.1所示[3]。沒(méi)有磁場(chǎng)作用下,兩個(gè)鐵磁層的自旋方向是相反的,逡逑電子在穿過(guò)多層膜時(shí)將受到增強(qiáng)的自旋相關(guān)散射,從而表現(xiàn)出大電阻。當(dāng)多層膜逡逑處于磁場(chǎng)環(huán)境下時(shí),兩側(cè)的鐵磁層將趨向于相同的自旋方向。在這種情況下,電逡逑子受到的來(lái)源于自旋相關(guān)的散射就會(huì)減弱,從而使得電阻降低。因此,在磁場(chǎng)有逡逑無(wú)的情況下,將使整個(gè)體系分別處于高低兩種不同的阻態(tài)。隨著GMR效應(yīng)的深逡逑入研宄,一系列應(yīng)用前景和重要的物理機(jī)制相繼被發(fā)現(xiàn)。逡逑Spin邋FM邋NM邋FM邐Spin邋FM邋NM邋FM逡逑”邋ft逡逑啊邋Rj邐R邐Spin邋R,邐R?逡逑^r1*——逡逑t-fli ̄ ̄■h'邐Thb——?-逡逑Rft邋R,*逡逑圖1.1巨磁阻效應(yīng)示意圖。逡逑緊隨之后

隧道磁電阻,理論模型


MR效應(yīng)的存在使得其對(duì)角度具有高度敏感性,從而一直受到地磁導(dǎo)航等域的廣泛關(guān)注。隨著磁結(jié)構(gòu)的發(fā)展,一些新型的AMR被制備出來(lái),例各向異性磁電阻(TAMR)、彈道各向異性磁電阻(BAMR)等。逡逑磁電阻(GMR)效應(yīng)逡逑正如前節(jié)所述GMR的發(fā)現(xiàn)推動(dòng)了自旋電子學(xué)的建立和發(fā)展,因此被認(rèn)為紀(jì)最偉大的發(fā)現(xiàn)。得益于GMR效應(yīng),硬盤在近年來(lái)迅速實(shí)現(xiàn)了越來(lái)越高密度,從而使得硬盤的尺寸變得越來(lái)越小。與傳統(tǒng)的MR效應(yīng)不同,GM產(chǎn)生的原因主要是由于載流子在界面處不同的自旋相關(guān)散射所致[18]。現(xiàn)認(rèn)為GMR效應(yīng)的產(chǎn)生主要和兩類與自旋相關(guān)的散射有關(guān):界面散射和膜。逡逑道磁電阻(TMR)效應(yīng)逡逑TMR效應(yīng)的產(chǎn)生是由于在隧道結(jié)構(gòu)中磁性層的加入會(huì)帶來(lái)與自旋相關(guān)的象。例如,在量子力學(xué)交換作用下3d軌道中的局域電子能帶會(huì)出現(xiàn)劈裂能帶劈裂的出現(xiàn)會(huì)使得費(fèi)米面附近不同自旋方向電子的能帶密度發(fā)生變1.2所示。逡逑邐1|邐邐II邐逡逑

霍爾效應(yīng),霍爾電場(chǎng)


#邋=邋¥是載流子遷移率,%邋=n£7i是零磁場(chǎng)下電導(dǎo)率,n是載流子濃度。逡逑在埃德溫霍爾最初的實(shí)驗(yàn)中,測(cè)量的是流經(jīng)樣品的橫向電流。而現(xiàn)在人們普遍用逡逑的方式是測(cè)量樣品的霍爾電場(chǎng)或橫向霍爾電壓,如圖1.3所示。逡逑B逡逑 ̄[/邋—邋—邋—邋—邋—邋—/逡逑 ̄ ̄ ̄/邋/逡逑圖1.3霍爾效應(yīng)不意圖。逡逑在實(shí)際的器件中,正;魻栃(yīng)主要是通過(guò)兩種方式對(duì)非磁性材料的輸運(yùn)性逡逑質(zhì)產(chǎn)生影響:一種是體系的幾何結(jié)構(gòu)或邊界條件[22,23];另一種是體系的非均勻性逡逑【2zW8]。對(duì)于幾何結(jié)構(gòu)的影響而言,在霍爾條結(jié)構(gòu)中,當(dāng)L》W時(shí),在y軸方向上逡逑的電流密度為零。在穩(wěn)態(tài)情況下,由積累電荷產(chǎn)生的霍爾電場(chǎng)可以完全抵消磁場(chǎng)逡逑6逡逑

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