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立式HVPE生長(zhǎng)三英寸GaN三維模擬研究

發(fā)布時(shí)間:2020-07-30 21:04
【摘要】:GaN作為第三代半導(dǎo)體材料,具有直接帶隙寬、熱導(dǎo)率高、飽和電子速率高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等諸多優(yōu)異特性。這些特性在藍(lán)綠波段的LED器件、紫外探測(cè)器、外空間和海底通訊等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。本文基于計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)原理,采用有限元分析軟件對(duì)自行設(shè)計(jì)的立式HVPE生長(zhǎng)GaN材料系統(tǒng)進(jìn)行了數(shù)值模擬研究。該研究主要側(cè)重于重力、襯底與入氣口之間的距離、反應(yīng)氣體與非反應(yīng)氣體的流速、反應(yīng)氣體的質(zhì)量分?jǐn)?shù)等因素對(duì)GaN的沉積速率和均勻性的影響。研究結(jié)果發(fā)現(xiàn):(1)為了使GaN的生長(zhǎng)速率提高,均勻性較好,結(jié)合實(shí)際情況,選擇襯底與氣體入口距離為50mm的反應(yīng)器;(2)通過改變氣體流速與重力的方向發(fā)現(xiàn),當(dāng)流速與重力方向相同時(shí),GaN的沉積速率最高,但是沉積的均勻性卻最差,因此該研究選擇氣體流速與重力方向相反的HVPE反應(yīng)器;(3)通過改變反應(yīng)氣體GaCl/N2與NH3/N2流速可以發(fā)現(xiàn),當(dāng)保持NH3/N2流速不變的情況下,增大GaCl/N2的流速,GaN的沉積速率上升,但是均勻性出現(xiàn)了先升后降的現(xiàn)象;(4)在保持GaCl/N2流速不變的情況下,增大NH3/N2的流速,GaN的沉積速率與均勻性均出現(xiàn)了先升后降的趨勢(shì);(5)改變非反應(yīng)氣體的流速來(lái)觀測(cè)GaN的沉積速率與均勻性。增大N2(隔離氣)的流速,發(fā)現(xiàn)GaN的沉積速率出現(xiàn)先升后降的現(xiàn)象,而均勻性卻變化不大;(6)增大N2(載氣)的流速時(shí),GaN的沉積速率與均勻性都呈現(xiàn)先升后降的趨勢(shì);(7)通過增大反應(yīng)氣體GaCl與NH3的質(zhì)量分?jǐn)?shù)來(lái)看,GaN的沉積速率均出現(xiàn)了不同程度的上升,而均勻性卻隨著GaCl質(zhì)量分?jǐn)?shù)的提升而下降,隨著NH3質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增加呈現(xiàn)先上升后下降的趨勢(shì)。
【學(xué)位授予單位】:天津工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TN304
【圖文】:

示意圖,巖鹽礦,纖鋅礦,閃鋅礦


圖1-丨纖鋅礦(Wurtzite)、閃鋅礦(Zinc-blende)和巖鹽礦(Rock-salt)型晶體結(jié)逡逑構(gòu)示意圖[|3]逡逑氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)有三種,如圖1-1所示:六方相的纖鋅礦(Wurtzite)結(jié)逡逑構(gòu)、立方相的閃鋅礦(Zinc-blende邋)結(jié)構(gòu)和立方相的巖鹽礦(Rock-salt)結(jié)逡逑構(gòu)。在共價(jià)結(jié)合中離子鍵成分占比越高,纖鋅礦結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性越好。GaN具有逡逑較高的離子性,因此閃鋅礦型GaN屬于亞穩(wěn)態(tài)形式。巖鹽礦型結(jié)構(gòu)屬于高溫逡逑相,據(jù)相關(guān)文獻(xiàn)記載,巖鹽礦型結(jié)構(gòu)存在于55.3GPa左右的壓力下,且隨著壓逡逑力的減小能夠促使其向更加穩(wěn)定的纖鋅礦結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化[13、14]。逡逑在常溫常壓下,GaN以對(duì)稱的六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)存在。每個(gè)原胞由四個(gè)原子逡逑組成,每個(gè)原子體積大約為GaAs原子體積的二分之一。當(dāng)外界環(huán)境發(fā)生改變逡逑時(shí),GaN從六方相的纖鋅礦結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)殚W鋅礦結(jié)構(gòu),這種閃鋅礦的結(jié)構(gòu)同樣也逡逑是對(duì)稱的。這兩種結(jié)構(gòu)的原子層堆積次序不同決定了邋GaN的六方相纖鋅礦結(jié)構(gòu)逡逑與閃鋅礦結(jié)構(gòu)在電學(xué)特性方面的差異。逡逑4逡逑

示意圖,氮化物,光電探測(cè)器,示意圖


天津工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文功研制出了具有高響應(yīng)特性的AlGa合金。當(dāng)x分.61時(shí),其帶隙波長(zhǎng)出現(xiàn)了不同的結(jié)果,分別對(duì)應(yīng),邋50nm。在最近的研宄過程中,對(duì)GaN基紫外光。研究人員發(fā)現(xiàn)GaN材料的截止波長(zhǎng)為369nm,已。利用這一特點(diǎn)GaN基光探測(cè)器可以將更大截止波大大降低了對(duì)濾波器的要求,可以更高效精準(zhǔn)的在紫目前APA光學(xué)公司于1998年推出了第一批GaN光該公司陸續(xù)的研發(fā)出一批具有高性能且可以長(zhǎng)時(shí)間品。逡逑

平面模型


單位/mm逡逑圖4-1立式HVPE系統(tǒng)平面模型逡逑4.邋6本章小結(jié)逡逑本章主要介紹了邋HVPE的系統(tǒng)原理、模擬采用的統(tǒng)御方程等。并在此基礎(chǔ)逡逑上對(duì)軟件模擬過程中的-?般性假設(shè)做出了設(shè)定,設(shè)計(jì)了生長(zhǎng)3英寸GaN的腔體逡逑結(jié)構(gòu)。逡逑

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