基于憶阻器的數(shù)字濾波器研究與實現(xiàn)
【學(xué)位授予單位】:合肥工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:TN713.7
【圖文】:
惠普實驗室為了尋找新一代存儲介質(zhì)的初衷。逡逑惠普實驗室的科研人員使用納米材料的金屬鉑-二氧化鈦-金屬柏實現(xiàn)了憶阻逡逑器,并且發(fā)現(xiàn)其具有獨特的I-V滯回曲線,如圖2.2所示。逡逑6逡逑
Fig邋2.2邋The邋physical邋structure邋and邋volt邋ampere邋characteristic邋curve邋of邋the邋HP邋memristor逡逑該器件是典型的金屬-氧化物-金屬混合結(jié)構(gòu),它由兩片金屬鉑薄片夾著一片二逡逑氧化鈦薄膜(厚度約丨0納米)構(gòu)成。二氧化鈦薄膜被分為上下兩層,其中一層是逡逑摻雜的二氧化鈦層,另一層是無摻雜的二氧化鈦層,摻雜區(qū)因缺少氧原子(空穴)逡逑帶正電,導(dǎo)電性更好對電流的阻礙較小。當(dāng)電荷(電流)從無摻雜層流向摻雜層逡逑的一邊時,在外部電場的作用下,無摻雜區(qū)會向摻雜區(qū)推進,使得二氧化鈦薄膜逡逑整體的摻雜區(qū)所占比例減少,材料整體電阻增大。與此相反,當(dāng)電荷(電流)從逡逑摻雜層流向無摻雜層的一邊時,在外部電場的作用下,摻雜區(qū)會向無摻雜區(qū)推進,逡逑使得二氧化鈦薄膜整體的摻雜區(qū)所占比例增大,材料整體電阻降低。惠普實驗室逡逑的納米級憶阻器實物整體上類似一個滑動變阻器。逡逑金屬-氧化物-金屬的憶阻器模型是一個納米級系統(tǒng),在外部偏置電壓激勵下,逡逑原子和固態(tài)離子從耦合的狀態(tài)中漂移出來,產(chǎn)生了憶阻特性。當(dāng)限制摻雜區(qū)域厚逡逑度0在零到二氧化鈦薄膜厚度D的范圍內(nèi)變化時,憶阻器能夠表現(xiàn)出完美的記性逡逑特性(I-V滯回曲線)。逡逑H前憶阻器逐漸被應(yīng)用到多個領(lǐng)域,其中主要包括存儲、邏輯計算、混沌電逡逑
惠普二氧化鈦憶阻器模型是一種典型的金屬-氧化物-金屬混合結(jié)構(gòu),它由兩塊逡逑金屬鉑夾著一片二氧化鈦薄膜(約10納米厚)構(gòu)成,二氧化鈦薄膜分為摻雜區(qū)域逡逑和非摻雜區(qū)域。結(jié)構(gòu)如圖2.3所示。摻雜區(qū)包含大量氧空穴,電導(dǎo)性良好,阻值較逡逑;非摻雜區(qū)不含氧空穴,電導(dǎo)性很差,阻值很大;萜諔涀杵鞯膽涀枳柚档扔阱义隙趸亾诫s區(qū)和非摻雜區(qū)的憶阻阻值之和。逡逑8逡逑
【參考文獻】
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本文編號:2770995
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