【摘要】：憶阻器是一種典型的非線性電子元器件,在集成電路、保密通訊、大容量存儲介質等領域都有著廣泛的應用前景。目前,憶阻器的研究工作尚主要處于實驗室階段,因此,從理論上建立憶阻器模型,模擬其物理特性是當前憶阻器研究的重要方法之一。在實際的憶阻器件或憶阻器電路系統(tǒng)中,能量的傳輸都是需要時間的,即存在著時滯現(xiàn)象。因此,構建憶阻器混沌系統(tǒng),研究時滯效應或時滯耦合作用對憶阻器系統(tǒng)動力學行為的影響是具有重要理論和實際意義的。本文主要研究含有奇次方窗口函數(shù)的時滯憶阻器混沌系統(tǒng)構建,以及延遲耦合憶阻器混沌系統(tǒng)中的時空斑圖動力學行為。首先,提出含有奇次方窗口函數(shù)的憶阻器模型,該模型能夠很好地逼近實際憶阻器的伏安特性曲線�；谝延袘涀杵麟娐废到y(tǒng),用奇次方憶阻器設計和搭建憶阻器混沌系統(tǒng)電路。通過在電路系統(tǒng)中適當引入時滯項構建時滯憶阻器混沌系統(tǒng)。不僅從理論上分析了憶阻器系統(tǒng)發(fā)生Hopf分岔的條件,還通過數(shù)值計算和Matlab模擬仿真實驗對理論分析結果進行了驗證。其次,研究實時變量、延遲變量耦合兩種條件下,兩個全同時滯憶阻器混沌系統(tǒng)之間的同步現(xiàn)象和規(guī)律。利用LambertW函數(shù)理論解析確定了耦合差信號系統(tǒng)實現(xiàn)同步的條件,搭建耦合系統(tǒng)仿真電路,從模擬仿真實驗和數(shù)值計算兩方面驗證了理論分析所得同步參數(shù)區(qū)的正確性。最后,以所構建的時滯憶阻器混沌系統(tǒng)為子元胞,采用最近鄰延遲變量耦合建立二維耦合系統(tǒng)陣列,分別在不同的邊界條件、耦合項延遲時間和耦合強度的條件下,研究系統(tǒng)中的時空動力學行為,發(fā)現(xiàn)了軸對稱斑圖、雙頭螺旋波斑圖、扭結波斑圖等豐富的時空斑圖現(xiàn)象。用梯度延遲時間耦合方法成功地將破碎圓形斑圖控制到周期態(tài)斑圖,數(shù)值計算結果證明了該方法的有效性。
【學位授予單位】：深圳大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2018
【分類號】：O415.5;TN60
【圖文】：

四種基本電路元變量及相應的函數(shù)關系

憶阻器結構示意圖

圖 3 憶阻器在外電場作用下，摻雜層邊界漂移示意圖在對憶阻器的物理特性進行深入研究的過程中，研究者們發(fā)現(xiàn)HP憶阻器與經(jīng)典學中的電阻有著本質的區(qū)別，它的伏安特性曲線（即v i曲線，如圖 4 所示）是

【參考文獻】

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本文編號：2762128