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小分子半導體納米結構的制備及其光電性能研究

發(fā)布時間:2017-03-29 23:02

  本文關鍵詞:小分子半導體納米結構的制備及其光電性能研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:近幾年,小分子半導體納米材料由于其不同于無機和高分子半導體材料的特殊的光電性能引起了廣泛的關注和研究。小分子種類繁多溶液化、低成本、可規(guī);庸さ闹苽溥^程使得其成為構筑有機電子器件的理想材料。小分子半導體納米結構的光電性能與其形貌和尺寸密切聯(lián)系著。然而,制備形貌、尺寸可控的小分子納米結構仍是個挑戰(zhàn),對它們的光電性能研究也處于起步階段。因此,對小分子半導體納米結構的可控制備及其光電性能的研究具有重要意義。本文對幾種小分子半導體材料納米結構的制備及其光電性能做了一些研究。1.利用溶劑揮發(fā)制備了超長、尺寸均一的NiOEP納米線;诩{米線薄膜器件顯示了優(yōu)異的光探測器性能,最大開關比和光響應度分別可達681和10.1 mA·W~(-1)。2.利用溶劑交換法制備了大尺寸、表面光滑的BPEA納米片;诖思{米片的器件顯示了優(yōu)異的光響應性能,最大的開關比分別可達105。此外,納米片還顯示了明顯的光發(fā)射各向異性。3.利用溶劑交換法制備了ADPI納米線。納米線表現(xiàn)出優(yōu)越的光波導性能,光傳導損失為0.1 dB·μm~(-1)。納米線顯示了較好的光發(fā)射各向異性。4.利用溶劑揮發(fā)法,通過調節(jié)混合溶劑組合,制備了PdOEP微米線和微米塊。微米線器件顯示出了明顯的光響應性能和穩(wěn)定性。對比得出,基于微米線的器件顯示了更優(yōu)越的光響應性能。
【關鍵詞】:小分子 溶液法 光電導 光電晶體管 光發(fā)射各向異性 光波導
【學位授予單位】:長春理工大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TN304;TB383.1
【目錄】:
  • 摘要4-5
  • Abstract5-7
  • 第一章 緒論7-21
  • 1.1 小分子半導體材料概述7
  • 1.2 小分子納米結構的主要溶液制備方法7-14
  • 1.3 小分子半導體納米結構的主要光電性能14-19
  • 1.4 論文研究內容19-21
  • 第二章 NiOEP納米線的制備及其光電性能的研究21-29
  • 2.1 引言21
  • 2.2 實驗部分21-23
  • 2.3 結果與討論23-28
  • 2.4 本章小結28-29
  • 第三章 BPEA納米片的制備及其光響應性能、光發(fā)射各向異性研究29-38
  • 3.1 引言29
  • 3.2 實驗部分29-31
  • 3.3 結果與討論31-36
  • 3.4 本章小結36-38
  • 第四章 ADPI納米線的制備及其光波導、光發(fā)射各向異性研究38-44
  • 4.1 引言38
  • 4.2 實驗部分38-39
  • 4.3 結果與討論39-43
  • 4.4 本章小結43-44
  • 第五章 PdOEP微米結構制備及其光電性能研究44-48
  • 5.1 引言44
  • 5.2 實驗部分44-45
  • 5.3 結果與討論45-47
  • 5.4 本章小結47-48
  • 結論48-49
  • 致謝49-50
  • 參考文獻50-54
  • 附錄54

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本文編號:275610


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