【摘要】：隨著半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展和“摩爾定律”對芯片關(guān)鍵尺寸的預(yù)測和推進(jìn),光刻人不得不提出并使用更加精確的模型和引入更好的優(yōu)化算法,以便探索光學(xué)分辨率提高的潛力。然而,在實(shí)際生產(chǎn)過程中的各種因素制約著芯片的可制造性,降低了集成電路的成品率和產(chǎn)能效率。解決上述問題的關(guān)鍵便是建立更加精確地模型和進(jìn)一步提高算法的優(yōu)化效率。通過查閱參考了大量的國內(nèi)外文獻(xiàn),本文在部分相干光矢量模型中加入了光學(xué)投影在光刻膠中的成像過程,其中包括了電磁波的折射、反射以及駐波的形成,進(jìn)一步提高了模型與實(shí)際情況的吻合程度。此外,我們還應(yīng)用了基于水平集算法的半隱式更新規(guī)則,相比于傳統(tǒng)的顯式算法,這種方法可以使用更快的速度合成光源和掩膜。本實(shí)驗(yàn)不僅提高了成像精度,而且在優(yōu)化對象相同的條件下,具有更高的運(yùn)算效率,合成的投影物像效果更好。本文的研究內(nèi)容主要包括:搭建并對比基于部分相干光照明系統(tǒng)的標(biāo)量模型和矢量模型,分析成像效果和逆優(yōu)化效果。然后在矢量模型的基礎(chǔ)上搭建分層媒介模型,比較成像的異同,著重分析逆優(yōu)化對復(fù)雜目標(biāo)像的合成能力。定義并使用可微的工藝參數(shù),提高工藝可制造性。其次,搭建基于模型的逆優(yōu)化框架和基于規(guī)則的逆優(yōu)化框架,通過對比使用最速梯度下降法和隨機(jī)梯度下降法,選擇性能優(yōu)異的最優(yōu)化算法。最后,搭建基于水平集的半隱式優(yōu)化框架,使用基于分層媒介的矢量模型進(jìn)行逆優(yōu)化,與相同情況下使用最速梯度下降法的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行對比。本文對浸入式投影光刻系統(tǒng)的模型和逆優(yōu)化進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究,搭建出基于分層媒介的矢量成像模型,進(jìn)一步刻畫了成像過程,提高了圖像精度。并且結(jié)合了半隱式迭代方案和加速算子分裂算法,提高了逆優(yōu)化的效率,具有一定的理論研究價(jià)值。
【學(xué)位授予單位】：廣東工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2019
【分類號】：TN43
【圖文】：

; , ) = 2 2+∞ ∞( , ) 2 ( + ) = 0， = /( )， = /( )并的是圓形或環(huán)形瞳孔，其尺寸在不考慮比ε(0 < < 1)共同決定。對于這些形狀 2( , ) = 1, 2+ 2≤ 0, 半孔徑角，如圖 2-1 所示。在本節(jié)后面間頻率及復(fù)頻域運(yùn)算變量，并且這些變量可

第二章 成像系統(tǒng)設(shè)計(jì)及工藝參數(shù)該激活函數(shù)的參數(shù)為：a 等于 85，tr等于 0.2的刻蝕作用后，硅晶元表面的圖案可以用如 ( , ) = ( , )

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 任俊仙;;Fe_2O_3彩色掩膜版的研制[J];教學(xué)與管理;1987年08期

2 劉丹s

本文編號：2717696