本文關(guān)鍵詞：基于臨時鍵合拿持技術(shù)的硅通轉(zhuǎn)接板背面工藝優(yōu)化研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：以硅通孑L-TSV(Though-Silicon-Via)工藝為核心的2.5D/3D系統(tǒng)封裝集成技術(shù)正在成為后摩爾時代超薄高密度微電子產(chǎn)品的關(guān)鍵解決方案。由于2.5D轉(zhuǎn)接板的薄化趨勢,所以在轉(zhuǎn)接板的背面工藝中必須重點研發(fā)薄晶圓拿持工藝。當(dāng)轉(zhuǎn)接板TSV完成后,背面工藝的優(yōu)化是轉(zhuǎn)接板制程后續(xù)最為重要的集成技術(shù)。在硅轉(zhuǎn)接板完成正面TSV工藝時,晶圓減薄后的一系列工藝問題還未凸顯。而在晶圓進(jìn)行背面的工藝時,每一步的處理方式都會對工藝的可行性造成一定程度的影響,為確保工藝質(zhì)量一般通過臨時鍵合拿持工藝解決。目前業(yè)界對背面工藝過程已有一定程度的研究,比如：晶圓減薄、化學(xué)氣相淀積以及聚合物烘烤。但是這些研究大部分專注于單步工藝的可行性,未能集成到全部工藝流程。本論文將分為兩大部分進(jìn)行：1,針對業(yè)界還在探討的薄晶圓拿持技術(shù)做進(jìn)一步的研發(fā),即激光拆鍵合工藝,目前業(yè)界主流的是機(jī)械拆鍵合和熱拆鍵合兩種工藝方式；2,根據(jù)目前業(yè)界已有的背面工藝過程,有機(jī)結(jié)合晶圓測試結(jié)果,研發(fā)一套基于激光拆鍵合技術(shù)的硅轉(zhuǎn)接板制程背面優(yōu)化工藝,主要集中在背面硅體減薄和去應(yīng)力、背面TSV露頭以及金屬布線工藝。本文的工作基于完成正面TSV工藝的2.5D無源轉(zhuǎn)接板晶圓進(jìn)行激光拆鍵合技術(shù)的探索,同時在背面工藝中,對關(guān)鍵步驟的工藝方案進(jìn)行優(yōu)化,以獲得一套基于激光拆鍵合技術(shù)的硅轉(zhuǎn)接板制程背面優(yōu)化工藝流程。
【關(guān)鍵詞】：2.5D轉(zhuǎn)接板 TSV 背面工藝 激光拆鍵合 氣泡
【學(xué)位授予單位】：中國科學(xué)院大學(xué)(工程管理與信息技術(shù)學(xué)院)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TN405
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-9
• 第一章 緒論9-21
• 1.1 研究背景與意義9-14
• 1.2 本課題的研究進(jìn)展14-19
• 1.3 本課題主要研究內(nèi)容19-21
• 第二章 薄晶圓拿持技術(shù)以及硅轉(zhuǎn)接板背面工藝研究21-31
• 2.1 薄晶圓拿持技術(shù)21-27
• 2.1.1 熱滑移(Thermal slide)方法24
• 2.1.2 紫外光剝離方法24-25
• 2.1.3 濕法溶解方法25
• 2.1.4 疊層膠體縱向分離方法25-26
• 2.1.5 區(qū)域鍵合(ZoneBOND)方法26-27
• 2.1.6 激光解鍵合方法27
• 2.2 硅轉(zhuǎn)接板背面工藝簡介27-30
• 2.3 本章小結(jié)30-31
• 第三章 硅轉(zhuǎn)接板臨時鍵合與拆鍵合工藝研究31-51
• 3.1 Thermal slide和ZoneBOND工藝驗證31-37
• 3.2 激光拆鍵合工藝研究37-49
• 3.2.1 激光拆鍵合的原理分析38-42
• 3.2.2 激光拆鍵合設(shè)備構(gòu)建42-45
• 3.2.3 激光拆鍵合工藝研究45-49
• 3.3 本章小結(jié)49-51
• 第四章 硅轉(zhuǎn)接板背面工藝優(yōu)化方案設(shè)計與驗證51-65
• 4.1 晶圓減薄工藝優(yōu)化51-55
• 4.1.1 研磨拋光工藝52-55
• 4.2 晶圓背面漏孔工藝優(yōu)化55-59
• 4.2.1 干法刻蝕工藝56-58
• 4.2.2 濕法刻蝕工藝58-59
• 4.3 PI鈍化工藝優(yōu)化59-61
• 4.4 拆鍵合工藝驗證61-63
• 4.5 本章小結(jié)63-65
• 第五章 結(jié)論及展望65-67
• 5.1 研究內(nèi)容總結(jié)65
• 5.2 未來工作展望65-67
• 參考文獻(xiàn)67-71
• 致謝71-73
• 在學(xué)期間發(fā)表的論文與研究成果73-74

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  本文關(guān)鍵詞：基于臨時鍵合拿持技術(shù)的硅通轉(zhuǎn)接板背面工藝優(yōu)化研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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