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長(zhǎng)波帶間級(jí)聯(lián)探測(cè)器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2020-04-18 00:35
【摘要】:InAs/GaSb II類超晶格紅外探測(cè)器自發(fā)明以來,以其能帶結(jié)構(gòu)靈活可調(diào)等特點(diǎn)成為紅外探測(cè)領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。通過對(duì)于InAs、GaSb層厚度的調(diào)節(jié),其探測(cè)波長(zhǎng)可以從近紅外的3μm覆蓋至30μm的極遠(yuǎn)紅外。此外,成熟的III-V族材料生長(zhǎng)技術(shù)也為生長(zhǎng)制備高性能的紅外探測(cè)器提供了條件。帶間級(jí)聯(lián)探測(cè)器正是基于InAs/GaSb II類超晶格吸收區(qū)的勢(shì)壘型器件,利用了聲子輔助弛豫、共振隧穿和勢(shì)壘的阻擋作用。光生載流子在超晶格吸收區(qū)產(chǎn)生,由于勢(shì)壘阻擋作用只能向弛豫區(qū)單方向移動(dòng),經(jīng)聲子輔助弛豫迅速進(jìn)入隧穿區(qū),再通過共振隧穿到達(dá)下一級(jí)超晶格吸收區(qū)價(jià)帶。帶間級(jí)聯(lián)探測(cè)器中不存在故意摻雜的PN結(jié),利用勢(shì)壘阻擋作用實(shí)現(xiàn)載流子輸運(yùn),能夠有效抑制長(zhǎng)波探測(cè)中的產(chǎn)生復(fù)合電流和隧穿電流;針對(duì)長(zhǎng)波探測(cè)中載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度較中波探測(cè)更短的問題,帶間級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)采用分立的多級(jí)吸收區(qū)結(jié)構(gòu),吸收區(qū)厚度小于載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度,確保光生載流子正常收集,因此帶間級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)可用于制備高性能的長(zhǎng)波紅外探測(cè)器。本課題以研究長(zhǎng)波帶間級(jí)聯(lián)探測(cè)器為目的,對(duì)長(zhǎng)波帶間級(jí)聯(lián)探測(cè)器的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)和優(yōu)化,并進(jìn)行器件的制備和測(cè)試。主要研究?jī)?nèi)容如下:1.研究了多量子阱能帶結(jié)構(gòu)模型和計(jì)算,采用包絡(luò)函數(shù)近似下的二帶模型和傳輸矩陣方法用于長(zhǎng)波帶間級(jí)聯(lián)多量子阱弛豫區(qū)的計(jì)算。進(jìn)一步考慮了襯底應(yīng)變對(duì)長(zhǎng)波帶間級(jí)聯(lián)材料能帶位置的影響,并給出了聲子散射速率計(jì)算模型,為進(jìn)一步優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)打下理論基礎(chǔ)。2.在計(jì)算模型基礎(chǔ)上研究了各層材料厚度對(duì)于基態(tài)能級(jí)、相鄰勢(shì)阱基態(tài)能級(jí)之差的影響,并給出了長(zhǎng)波帶間級(jí)聯(lián)探測(cè)器能帶結(jié)構(gòu)方案。在保證光生載流子在弛豫區(qū)中隧穿幾率的前提下,提出了周期性量子阱弛豫區(qū)結(jié)構(gòu)以拓展弛豫區(qū)厚度,降低吸收區(qū)中的電場(chǎng)強(qiáng)度,抑制產(chǎn)生復(fù)合電流和隧穿電流。3.通過本課題組的MBE等設(shè)備,制備了長(zhǎng)波帶間級(jí)聯(lián)探測(cè)器單元器件,并對(duì)器件進(jìn)行了光譜響應(yīng)測(cè)試、黑體響應(yīng)測(cè)試以及暗電流測(cè)試。實(shí)驗(yàn)測(cè)得該器件80K下50%截止波長(zhǎng)為11.5μm,100%截止波長(zhǎng)超過13μm,該器件在10.5μm處量子效率達(dá)到了20%,是目前帶間級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)在80K下所獲得的波長(zhǎng)最長(zhǎng)的紅外探測(cè)器。對(duì)暗電流測(cè)試結(jié)果進(jìn)行擬合,分析了不同溫度下暗電流的組成。
【圖文】:

電烙鐵,熱成像,液氮溫度,噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室


第一章 引言3.22A/W,量子效率為 51%。在 81K 至 185K 下分別進(jìn)行了電烙鐵和人臉成像如圖 1-4 所示[15],,該器件相較 2003 年有長(zhǎng)足進(jìn)步。2010 年美國噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室(JetPropulsion Laboratory)報(bào)道了 1K 1K 規(guī)模的 InAs/GaSb II 類超晶格長(zhǎng)波焦平面探測(cè)器如圖 1-5 所示,其探測(cè)率達(dá)到 1.1 1011cmHz1/2/W[16]。

電烙鐵,成像,熱成像,探測(cè)率


探測(cè)器如圖 1-5 所示,其探測(cè)率達(dá)到 1.1 1011cmHz1/2/W[16]。圖 1-3 液氮溫度下電烙鐵(左)和人臉(右)熱成像圖(2003)[14]
【學(xué)位授予單位】:中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TN215

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