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基于數(shù)字超結構的多模彎曲波導的逆向設計與實現(xiàn)

發(fā)布時間:2020-03-31 15:11
【摘要】:近年來,互聯(lián)網(wǎng)中產(chǎn)生的信息呈現(xiàn)出爆炸式增長,傳統(tǒng)的信息處理方法開始難以應對這日益增長的信息容量。隨著集成光子技術的發(fā)展,利用片上模式分復用技術(Mode Division and Multiplexing,MDM)在同一傳輸信道中以多種傳輸模式光為載體進行信息傳輸,從而大大地提高了信息傳輸容量,為解決這一難題提供了希望。而在片上MDM系統(tǒng)中,彎曲波導起到了重要的作用,其現(xiàn)在已被納入多家硅光子器件設計套件中。由于彎曲波導的存在,使得在設計集成光子系統(tǒng)時能夠進行靈活的布線,這樣會大大降低片上集成系統(tǒng)的占用面積,同時能夠提高系統(tǒng)的集成密度。本論文針對這一研究背景,提出了基于逆向設計的優(yōu)化方式來設計能夠支持多種模式傳輸?shù)膹澢▽。在設計中選擇絕緣體上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)作為器件設計的材料平臺,基于三維模型的時域差分法來進行設計過程的優(yōu)化步驟,在軟件中編寫優(yōu)化算法腳本并進行編譯運行。我們將波導的彎曲處進行離散化處理,形成一定數(shù)量的像素點,通過改變像素點的材料屬性進而來影響模式光在彎曲波導中的傳輸情況。優(yōu)化算法會通過不斷的迭代過程來確定每個像素點的材料屬性:硅或者空氣,從而使得模式光在彎曲波導中的傳輸效率達到最優(yōu)值。在經(jīng)過一定次數(shù)的優(yōu)化迭代后,得到了三種多模彎曲波導結構,其分別能支持兩種模式光(TE_0、TE_1)、三種模式光(TE_0,TE_1,TE_2)以及四種模式光(TE_0,TE_1,TE_2,TE_3)低損耗傳輸,其工作波長范圍為1535 nm至1565 nm。仿真結果表明,在整個工作帶寬內(nèi),三種彎曲波導的平均傳輸損耗均在1 dB左右,且相互間的模式串擾平均值小于-15 dB,仿真結果達到了設計時的指標。此外,在論文中詳細描述了在超凈實驗室內(nèi)制備硅光器件的工藝流程:切片、洗片、勻膠、電子束曝光(Electron Beam Lithography,EBL)、顯影、定影、反應離子刻蝕(Reactive Ion Etching,RIE)、氧離子去膠以及在顯微鏡下檢查等步驟。通過不斷地調(diào)試器件的制備工藝,最終得到了質量較好的器件,并對其進行實驗測量。與此同時,在論文中詳細描述了實驗測量所用的光路的搭建以及測量時的注意事項。通過對每個器件進行波段掃描,并進行歸一化處理,得到了器件的測量數(shù)據(jù)。在制備工藝誤差允許的范圍內(nèi),實驗測量結果能夠與設計值較好地相吻合,這表明所制備出來的器件具有良好的性能,能夠滿足在片上使用的要求。用基于逆向設計方法所設計出來的這三種多模彎曲波導與已有文獻中所報道的彎曲波導相比,具有器件尺寸小、傳輸損耗低、支持模式數(shù)多以及制備工藝簡單等優(yōu)點,這些優(yōu)勢將會在很大程度上減小片上集成光子系統(tǒng)的占用面積,同時也將會在很大程度上提高片上光子系統(tǒng)的集成密度。
【圖文】:

基于數(shù)字超結構的多模彎曲波導的逆向設計與實現(xiàn)


優(yōu)化后彎曲波導結構

彎曲波導,算法優(yōu)化,電場,結構示意圖


圖 1-2 算法優(yōu)化彎曲波導結構示意圖及傳輸電場圖[43] 2018 年,華中科技大學研究人員提出了將彎曲波導用方形e Interference, MMI)代替,再利用逆向設計算法在 MMI 結構兩個光場模式(TE0,TE1)的低損耗傳輸[42],如圖 1-3 所示徑為 3.6 μm,兩種模式的傳輸損耗均低于 1 dB,且其設計
【學位授予單位】:哈爾濱工業(yè)大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2019
【分類號】:TN252

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本文編號:2609237

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