【摘要】：通過不同感應耦合等離子體刻蝕條件下進行的玻璃基板發(fā)生光刻膠變性的位置,研究光刻膠變性與下部電極結(jié)構(gòu)的相關(guān)性。研究結(jié)果表明:下部電極的Dam區(qū)對玻璃基板的冷卻效果較差,導致該區(qū)域的玻璃基板上光刻膠容易產(chǎn)生變性。經(jīng)過對下部電極Dam區(qū)的改造可以有效增大玻璃基板的冷卻范圍,改善光刻膠變性殘留問題。

【相似文獻】

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本文編號：2579203