【摘要】：針對表面淬滅電阻技術引起死區(qū)面積較大,以及高光子探測效率與大動態(tài)范圍不能同時滿足的矛盾,應用外延電阻淬滅技術,采用與雪崩光電二極管微單元相連的襯底外延層硅材料制作了淬滅電阻.研制成功的外延電阻淬滅硅光電倍增器的有源區(qū)面積為1×1mm~2,微單元尺寸為7μm,微單元密度高達21 488個/mm~2,測試結果表明:漏電流為10量級,反向擊穿電壓為24.5V,過偏壓為2.5V時,增益達1.4×10~5,室溫下暗計數(shù)率約為600kHz/mm~2,串話率低于10%,說明該器件具有良好的光子計數(shù)特性.該高密度硅光電倍增器測量的動態(tài)范圍是1.8×10~4個/mm,光子探測效率為16%(@λ_(peak)=480nm),恢復時間為8.5ns,單光子分辨能力較高,并且在液氮溫度環(huán)境能夠探測光子,這對于拓展硅光電倍增器在極低溫度條件下的應用,比如暗物質測量實驗方面具有潛力.

【相似文獻】

相關期刊論文 前3條

1 范鵬;許天鵬;王石;劉亞強;馬天予;;硅光電倍增器件(SiPM)的自動增益校正[J];核電子學與探測技術;2013年01期

2 ;硅光電二極管和光電倍增管的選擇比較[J];國外紅外與激光技術;1975年04期

3 ;[J];;年期

相關會議論文 前2條

1 韓德俊;張國青;胡小波;殷登平;胡春周;梁琨;楊茹;;一種新結構硅光電倍增器(SiPM)及其應用研究[A];第九屆全國光電技術學術交流會論文集（上冊）[C];2010年

2 李永正;程岳;王凱君;李伯成;梁琨;楊茹;韓德俊;;應用于大型高能物理實驗的硅光電倍增器(SiPM)及其質量控制研究[A];第十六屆全國核電子學與核探測技術學術年會論文集（上冊）[C];2012年

，

本文編號：2559098