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微流道中消逝場激勵的熒光光源研究

發(fā)布時間:2019-10-03 10:28
【摘要】:將石英裸光纖植入聚二甲基硅氧烷(PDMS)基片的微流道中,采用沿光纖軸向光激勵、消逝場激勵染料分子的方式,在基片微流道中獲得均勻的熒光輻射。實驗發(fā)現(xiàn),在激勵光強確定的條件下,熒光輻射的強度與染料溶液的濃度呈線性正相關關系,而與包層溶液的折射率呈非線性正相關的關系。用消逝波激勵熒光的輻射理論,很好地解釋了實驗結果。
【圖文】:

實驗裝置圖,光纖軸


度在θc1至θc2-θc1范圍內的光線進入染料包層溶液后不能繼續(xù)在光纖界面以全反射方式傳播而折射到包層溶液中。設光纖半徑為r,則L0=2rtanθc2,以n2=1.432計算,得L0≈1.0mm。因此,為了減弱折射光對實驗的影響,在激勵光進入微流道前,在光路中加入毛細管C(直徑D=300μm),并在C內注入和微流道中相同濃度和折射率的包層染料溶液,濾去在微流道中不滿足全反射條件的激勵光。為方便實驗,取毛細管的長度為2cm。圖2實驗裝置圖Fig.2Illustrationoftheexperimentalsetup3.2實驗3.2.1熒光沿光纖軸向的分布圖3是在激勵功率為20mW,染料濃度N=0.01mmol/L和溶液折射率n2=1.361時Rhodamine6G的熒光強度分布。圖3(a)是熒光沿光纖軸向輻射的實物圖,圖3(b)、(c)分別是熒光沿光纖軸向不同位置處的熒光光譜和熒光輻射強度的分布。由圖3可知,采用沿光纖軸向激勵光的消逝場激勵染料分子的方式,可以獲得沿光纖軸向較長范圍的熒光輻射;由于激勵光的消逝場在光纖周圍是均勻分布的,所以熒光輻射在光纖周圍也是均勻分布的;通過選擇適當?shù)陌鼘尤芤赫凵渎室约叭玖蠞舛瓤梢垣@得沿光纖軸向接近均勻的熒光輻射。下面主要討論在Z=0mm處PDMS芯片微流通道內包層染料濃度及溶液折射率對熒光輻射強度的影響。圖3(a)熒光沿光纖軸向輻射實物圖;(b)熒光沿光纖軸向的光譜;(c)熒光沿光纖軸向的強度分布Fig.3(a)Pictureofthefluor

光纖軸,熒光,強度分布,實物


L0=2rtanθc2,以n2=1.432計算,得L0≈1.0mm。因此,為了減弱折射光對實驗的影響,在激勵光進入微流道前,在光路中加入毛細管C(直徑D=300μm),并在C內注入和微流道中相同濃度和折射率的包層染料溶液,濾去在微流道中不滿足全反射條件的激勵光。為方便實驗,取毛細管的長度為2cm。圖2實驗裝置圖Fig.2Illustrationoftheexperimentalsetup3.2實驗3.2.1熒光沿光纖軸向的分布圖3是在激勵功率為20mW,染料濃度N=0.01mmol/L和溶液折射率n2=1.361時Rhodamine6G的熒光強度分布。圖3(a)是熒光沿光纖軸向輻射的實物圖,圖3(b)、(c)分別是熒光沿光纖軸向不同位置處的熒光光譜和熒光輻射強度的分布。由圖3可知,,采用沿光纖軸向激勵光的消逝場激勵染料分子的方式,可以獲得沿光纖軸向較長范圍的熒光輻射;由于激勵光的消逝場在光纖周圍是均勻分布的,所以熒光輻射在光纖周圍也是均勻分布的;通過選擇適當?shù)陌鼘尤芤赫凵渎室约叭玖蠞舛瓤梢垣@得沿光纖軸向接近均勻的熒光輻射。下面主要討論在Z=0mm處PDMS芯片微流通道內包層染料濃度及溶液折射率對熒光輻射強度的影響。圖3(a)熒光沿光纖軸向輻射實物圖;(b)熒光沿光纖軸向的光譜;(c)熒光沿光纖軸向的強度分布Fig.3(a)Pictureofthefluorescenceemissionalongthefiberaxis;(b)fluorescencespectraatdifferentpositio
【作者單位】: 云南大學物理系;
【基金】:國家自然科學基金(11404282,61465014,61465015) 中科院西部之光人才培養(yǎng)項目 云南大學中青年骨干教師培養(yǎng)項目
【分類號】:TN492

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本文編號:2545392

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