【摘要】：碳化硅(SiC)作為新型材料,在高溫、高頻和大功率等領(lǐng)域中具有很大的潛力。SiC功率半導(dǎo)體器件在電力電子電路中應(yīng)用廣泛,提取精確的物理模型參數(shù)對電力電子電路設(shè)計尤為重要。在對SiC肖特基二極管動態(tài)特性及其物理模型的分析基礎(chǔ)上,確定了其關(guān)鍵的模型參數(shù)。結(jié)合Matlab和Saber仿真軟件,對仿真波形和實驗波形進行了對比,并以仿真波形和實驗波形的相關(guān)系數(shù)及迭代次數(shù)為目標函數(shù)來改進粒子群算法,以改進粒子群優(yōu)化(IPSO)算法對SiC肖特基二極管內(nèi)部關(guān)鍵模型參數(shù)進行優(yōu)化辨識。最后,針對IDW30G65C5型號的整流二極管,提取了精確的模型參數(shù),并驗證了其有效性。
【作者單位】： 西華大學電氣與電子信息學院;
【基金】：四川省電力電子節(jié)能技術(shù)與裝備重點實驗室資助項目(SZJJ2015-064) 太陽能技術(shù)集成及應(yīng)用推廣四川省高校重點實驗室資助項目(TYN2015-01,09)
【分類號】：TN304.24;TN311.7

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