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Pt納米粒子修飾的ZnO基紫外探測器的制備及其性能研究

發(fā)布時(shí)間:2019-09-21 09:29
【摘要】:氧化鋅是一種具有立方晶體結(jié)構(gòu)的直接帶隙半導(dǎo)體材料。在室溫下,通過鎂元素的摻雜可制得氧鋅鎂合金薄膜,使得這種薄膜材料的禁帶寬度在3.3 eV~7.8 eV范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。由于這種半導(dǎo)體材料分布廣泛、制備方法多以及環(huán)境友好,人們?cè)絹碓疥P(guān)注這種材料的研究。本論文主要采用射頻磁控濺射的方法來生長氧化鋅薄膜和氧鋅鎂合金薄膜。生長后的薄膜通過光刻工藝制備出具有金屬-半導(dǎo)體-金屬結(jié)構(gòu)的紫外光電探測器。主要研究了射頻磁控濺射的方法生長的氧鋅鎂基薄膜的表面形貌和光電性能;通過表面等離子基元的修飾提升薄膜的吸收系數(shù)和探測器的響應(yīng)度,并通過研討金屬納米顆粒對(duì)雙層膜結(jié)構(gòu)探測器的修飾作用對(duì)局域表面等離子基元理論做進(jìn)一步了解。
【圖文】:

半導(dǎo)體薄膜,透射圖,組分


導(dǎo)體化合物探測器(以砷化鎵為主體)到現(xiàn)第三代探測器的迅猛發(fā)展其技術(shù)也逐漸趨于入其中的因素功不可沒。材料,金剛石、碳化硅、氮化鎵基材料以及氧些材料中,碳化硅的量子效率并不高;金剛質(zhì)量的摻雜并且可控卻仍是一個(gè)難題;氮化長成本過高并且相關(guān)的研究還處于一個(gè)實(shí)驗(yàn)的優(yōu)越性能被科研人員所廣泛應(yīng)用和研究。年代,日本 A.Ohtomo 研究團(tuán)隊(duì)【5】的研究中具有鎂元素?fù)诫s的氧鋅鎂半導(dǎo)體薄膜在藍(lán)寶隨著 Mg 的加入量逐漸遞增,MgZnO 半導(dǎo)體,研究中還發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體薄膜的吸收截止邊發(fā)波段向短波方向移動(dòng)。最后令人意外的是,,g 的摩爾比為 33%,這時(shí)開始出現(xiàn)分相情況;立方相。如圖 1.1 所示為不同組分的試樣的

偏壓,鎂摻雜,紫外探測器,叉指電極


.2 (a)鎂摻雜量為 0.34 的氧鋅鎂合金薄膜紫外探測器叉指電極結(jié)構(gòu)圖;(b)光電流I-V 特性曲線Fig 1.2 (a) Magnesium doping amount of 0.34 oxygen zinc magnesium alloydetector fork refers to the electrode structure; (b) Photoelectric current and dark cucharacteristic curve
【學(xué)位授予單位】:長春理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:TN23

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本文編號(hào):2539284

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