聲表濾波器熱釋電效應(yīng)的研究
【圖文】:
圖1熱釋電效應(yīng)形成的原理極化電荷量由極化強度決定。極化強度受溫度變化決定,極化強度變化量(ΔPs)為ΔPs=P!ΔT(1)式中:ΔT為溫度變化量;P為熱釋電系數(shù)(材料決定的常數(shù))。當晶體表面溫度變化時,其極化強度隨之變化,晶體表面的極化電荷也將產(chǎn)生變化,如圖2所示。圖中,TC為居理溫度。圖2熱釋電材料極化強度與溫度的關(guān)系2聲表濾波器的基片材料自發(fā)極化是指因物質(zhì)本身的結(jié)構(gòu)在某個方向上正、負電荷中心不重合而固有極化。一般情況下,晶體的自發(fā)極化產(chǎn)生的表面束縛電荷被吸附在晶體表面上的自由電荷所屏蔽,當溫度發(fā)生變化時,自發(fā)極化發(fā)生變化,從而釋放出表面吸附的部分電荷。晶體冷卻時,電荷極化與加熱時相反。熱釋電材料是一種壓電材料,是不具有中心對稱性的晶體。過去聲表濾波器常用基片材料有鉭酸鋰(LiTaO3,簡稱LT)和鈮酸鋰(LiNbO3,簡稱LN),這兩種片子簡稱白片。所有采用LiTaO3和LiNbO3晶片的聲表面波器件都具有弱熱釋電效應(yīng),在溫度變化,特別是在溫度突變時,常規(guī)基片的表面會產(chǎn)生、積累靜電荷,積累到一定程度后會釋放靜電波形,釋放靜電波形的電壓與熱釋電系數(shù)、溫度變化率、極化面積大小有關(guān):U=ρ×A×dTdt×RL(2)式中:ρ為熱釋電系數(shù);dTdt為溫度變化率;A為極化面積;RL為基片材料的體電阻。如果生產(chǎn)過程中芯片未建立靜電釋放通道,靜電對芯片指條影響較大。因此,我們在生產(chǎn)過程中均采用了防靜電處理措施,但器件在作溫循實驗時也會出現(xiàn)熱釋電效應(yīng)。表1為LiNbO3和LiTaO3的一?
其接觸到接地電位時,IC內(nèi)部的靜電便會由IC內(nèi)部流出,,造成放電現(xiàn)象,這就是CDM放電,簡稱充電放電模式。聲表濾波器在做溫變試驗時,基片材料的熱釋電效應(yīng)造成了靜電燒傷。因為器件的封裝尺寸很小,其電容和電感值很。s為5pF,10nH),故放電時間極短,電流能在1ns內(nèi)達到很高。若保護電路不能及時導通,則靜電荷通過元器件結(jié)構(gòu)中的寄生電容進行放電,IC閘極氧化層易被損壞。放電示意圖如圖4所示。圖4放電示意圖4改進方法4.1增加聲表濾波器應(yīng)提供靜電防護電路在使用熱釋電材料設(shè)計的聲面濾波器時,應(yīng)考慮設(shè)計一條低阻抗放電通道的靜電防護電路,并能將電壓鉗位在一定水平。比如在聲表濾波器的后級并一個雪崩二極管,利用二極管反向雪崩擊穿特性,使靜電鉗位;或者,聲表濾波器的后級并聯(lián)一個幾百納亨的電感,目的是要求具有較快的導通速度和小的等效電容,以減小保護電路對電性能的影響。這樣就不會對后級電路產(chǎn)生嚴重影響,這在聲表行業(yè)幾十年來的應(yīng)用中得到了驗證。4.2工藝上用還原片(黑片)替代現(xiàn)有的片子(白片)目前,國內(nèi)外聲表專業(yè)同行大多數(shù)均對LT和LN晶片進行了去熱釋電處理,我們稱為黑片。理論上,去熱釋電處理的壓電基片(黑片)的體電阻比同類的白片約低3個數(shù)量級,極大地降低了靜電荷積累水平。采用這種黑化處理的基片制作的產(chǎn)品的靜電防護能力明顯提高;同時,去熱釋電處理后的晶片除顏色加深,體電阻降低外,其他物理性質(zhì)未發(fā)生改變。我們從文獻[3-6]得到基片材料128°LiNbO3黑片的熱電位差為5mV以下。為了驗證此結(jié)論,我們用1000#,厚0.5mm的基片材料LiNbO
【作者單位】: 中國電子科技集團公司第二十六研究所;
【基金】:國家重大預研項目
【分類號】:TN65;TN713
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本文編號:2525812
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