【摘要】：為建立有效的晶閘管模型來(lái)仿真晶閘管關(guān)斷時(shí)過電壓,減小晶閘管過壓損壞的概率,以最大通流150kA、耐壓5.2kV的脈沖晶閘管為研究對(duì)象,將其前置于脈沖形成單元回路中作為大功率開關(guān)使用,記錄放電過程中晶閘管兩端電壓及電流。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明:恢復(fù)過程中的電流下降率、反向恢復(fù)電荷、反向恢復(fù)電流峰值隨通態(tài)電流峰值的增大而增大,晶閘管關(guān)斷時(shí)間隨通態(tài)電流峰值的增大而減小。此外,在關(guān)斷過程中,當(dāng)電流下降率在-50~1000A/μs時(shí),電流下降率與電流峰值為線性關(guān)系。因此,在大脈沖電流條件下,推導(dǎo)反向恢復(fù)過程參數(shù)與通態(tài)電流參數(shù)的關(guān)系時(shí)電流下降率可用與電流峰值的線性關(guān)系代替�；贛atlab仿真平臺(tái),建立了具有反向恢復(fù)過程的脈沖晶閘管模型。該模型仿真得到的晶閘管反向恢復(fù)電流峰值與實(shí)測(cè)結(jié)果較為吻合,反向恢復(fù)電壓尚待進(jìn)一步修正。
[Abstract]:in order to establish an effective thyristor model to simulate the overvoltage of the thyristor when the thyristor is turned off, the probability of the overvoltage damage of the thyristor is reduced, a pulse thyristor with a maximum flow capacity of 150 kA and a voltage of 5.2 kV is used as a research object, and a front part thereof is arranged in a pulse forming unit loop for use as a high-power switch, The terminal voltage and current of the thyristor during the discharge process are recorded. The experimental data show that the current drop rate, the reverse recovery charge and the reverse recovery current peak in the recovery process are increased with the increase of the peak of the on-state current, and the turn-off time of the thyristor is reduced with the increase of the peak of the on-state current. In addition, in the off-process, when the current drop rate is between-50 and 1000 A/. m, the current drop rate is linearly related to the current peak. Therefore, under the condition of large pulse current, the relationship between the reverse recovery process parameter and the on-state current parameter is derived, and the current drop rate can be replaced with the linear relationship of the current peak value. Based on the Matlab simulation platform, a pulse thyristor model with reverse recovery process is established. The peak of the reverse recovery current of the thyristor is in agreement with the measured result, and the reverse recovery voltage has to be further corrected.
【作者單位】： 華中科技大學(xué)強(qiáng)電磁工程與新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家高技術(shù)發(fā)展計(jì)劃項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TN34

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本文編號(hào)：2521380