【摘要】：基于65 nm工藝下單粒子瞬態(tài)脈寬檢測(cè)電路,在重離子輻照下,對(duì)目標(biāo)單元單粒子瞬態(tài)脈寬進(jìn)行了測(cè)試。針對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果中單粒子瞬態(tài)脈寬分布出現(xiàn)多峰的現(xiàn)象進(jìn)行了分析。詳細(xì)對(duì)比了反相器多峰現(xiàn)象與LET值、溫度、閾值電壓間的關(guān)系。通過(guò)TCAD仿真分析了多峰現(xiàn)象的原因,即PMOS由于寄生雙極效應(yīng),在高LET粒子攻擊下產(chǎn)生的瞬態(tài)脈沖脈寬大于粒子攻擊NMOS產(chǎn)生的瞬態(tài)脈沖脈寬。高溫條件會(huì)使得寄生雙極效應(yīng)更加嚴(yán)重,因此在高溫條件下脈寬分布的多峰現(xiàn)象更加明顯。
[Abstract]:Based on the single particle transient pulse width detection circuit under 65 nm process, the single particle transient pulse width of the target unit is measured under heavy ion irradiation. The phenomenon of multiple peaks in the transient pulse width distribution of single particle is analyzed. The relationship between multipeak phenomenon and LET value, temperature and threshold voltage is compared in detail. The cause of multi-peak phenomenon is analyzed by TCAD simulation, that is, the transient pulse width of PMOS under high LET particle attack is larger than that of particle attack NMOS because of parasitic bipolar effect. At high temperature, the parasitic bipolar effect is more serious, so the multipeak phenomenon of pulse width distribution is more obvious at high temperature.
【作者單位】： 北京微電子技術(shù)研究所;哈爾濱工業(yè)大學(xué);
【分類號(hào)】：TN40

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 孫孟相;譚滿清;王魯峰;;1300nm超輻射發(fā)光二極管壽命測(cè)試[J];光學(xué)學(xué)報(bào);2008年10期

2 Laura Peters;;在65nm及以下節(jié)點(diǎn)獲得良好的互連可靠性[J];集成電路應(yīng)用;2007年05期

3 黃鑫;宋愛(ài)民;段利華;;1053nm超輻射發(fā)光二極管量子阱的設(shè)計(jì)[J];半導(dǎo)體光電;2010年04期

4 宋曉舒;垂直腔面發(fā)射激光器制造商強(qiáng)攻1300nm電信業(yè)堡壘[J];光機(jī)電信息;2002年08期

5 繆彩琴;翁壽松;;研發(fā)≤65nm工藝的最新進(jìn)展[J];集成電路應(yīng)用;2005年01期

6 袁林;劉博;王邦新;鐘志慶;陳濤;戚福弟;周軍;;車載式1064nm米氏散射激光雷達(dá)的研制[J];中國(guó)激光;2010年07期

7 譚滿清,茅冬生,陳良惠,李玉璋;ECR plasma CVD法淀積980 nm大功率半導(dǎo)體激光器端面光學(xué)膜技術(shù)[J];中國(guó)激光;1999年09期

8 ;羅門哈斯電子材料公司推出用于90nm低k系列阻擋層研磨液[J];微納電子技術(shù);2004年11期

9 祝寶升;左潔;;1550nm在長(zhǎng)距離數(shù)字電視傳輸系統(tǒng)中的應(yīng)用[J];中國(guó)有線電視;2007年21期

10 王華;孫國(guó)超;楊棄;;1550nm光傳聯(lián)網(wǎng)與城鄉(xiāng)有線雙向改造[J];中國(guó)數(shù)字電視;2007年07期

相關(guān)會(huì)議論文 前10條

1 楊天榮;;1064nm長(zhǎng)脈沖Nd:YAG激光在人體脫毛的應(yīng)用[A];第八屆西南五省一市燒傷整形學(xué)術(shù)會(huì)議暨貴州省醫(yī)學(xué)會(huì)燒傷整形分會(huì)2010年學(xué)術(shù)年會(huì)論文匯編[C];2010年

2 文建湘;吳江;徐曉軍;文雁平;蕭天鵬;;高精度光纖陀螺用1550nm細(xì)徑保偏光纖的研制[A];全國(guó)第十三次光纖通信暨第十四屆集成光學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2007年

3 任龍喜;尹建;焦守國(guó);;Nd:YAG激光(1064nm)與半導(dǎo)體激光(980nm)對(duì)髓核組織生物熱效應(yīng)的對(duì)比性研究[A];中國(guó)康復(fù)醫(yī)學(xué)會(huì)第十一次全國(guó)頸椎病學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2009年

4 堯舜;劉云;王祥鵬;劉云;姚迪;王立軍;;13．2W連續(xù)輸出1540nm波段半導(dǎo)體激光陣列模塊[A];第十七屆全國(guó)激光學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2005年

5 王思威;趙振宇;蔣江;張國(guó)強(qiáng);楊朱黎;;40nm超大規(guī)模集成電路電源網(wǎng)絡(luò)IR Drop預(yù)估[A];第十五屆計(jì)算機(jī)工程與工藝年會(huì)暨第一屆微處理器技術(shù)論壇論文集（A輯）[C];2011年

6 徐世祥;翟惠;楊旋;吳昆;曾和平;;用連續(xù)注入腔內(nèi)光參量手段實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生與寬帶794nm光脈沖精確同步的1064nm光脈沖[A];中國(guó)光學(xué)學(xué)會(huì)2006年學(xué)術(shù)大會(huì)論文摘要集[C];2006年

7 沈忠偉;王兆華;劉成;魏志義;;基于非共線飛秒光學(xué)參量放大的高對(duì)比度1053nm超短脈沖激光的產(chǎn)生研究[A];中國(guó)光學(xué)學(xué)會(huì)2011年學(xué)術(shù)大會(huì)摘要集[C];2011年

8 任龍喜;尹建;焦守國(guó);;Nd:YAG激光(1064nm)與半導(dǎo)體激光(980nm)對(duì)髓核組織生物熱效應(yīng)的對(duì)比性研究[A];第18屆中國(guó)康協(xié)肢殘康復(fù)學(xué)術(shù)年會(huì)論文選集[C];2009年

9 宋為民;沈靜;金憲強(qiáng);鄭涵;許愛(ài)娥;;波長(zhǎng)1540nm點(diǎn)陣激光治療凹陷性痤瘡疤痕[A];2008年浙江省醫(yī)學(xué)美容暨整形外科學(xué)術(shù)會(huì)議論文匯編[C];2008年

10 張國(guó)強(qiáng);趙振宇;張民選;王思威;劉戰(zhàn)濤;;40nm工藝互連線延時(shí)優(yōu)化研究[A];第十五屆計(jì)算機(jī)工程與工藝年會(huì)暨第一屆微處理器技術(shù)論壇論文集（A輯）[C];2011年

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前10條

1 ;臺(tái)積電正式采用40nm工藝[N];中國(guó)電腦教育報(bào);2008年

2 記者 陳功章　通訊員 瞿軍業(yè);蘭石化8000Nm~(3)/h制氮裝置一次開(kāi)車成功[N];甘肅經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào);2012年

3 劉洪宇;45nm：英特爾跨越制程分水嶺[N];中國(guó)計(jì)算機(jī)報(bào);2007年

4 ;45nm以下銅互連不如碳納米管[N];中國(guó)電腦教育報(bào);2008年

5 ;10nm晶體管[N];中國(guó)計(jì)算機(jī)報(bào);2004年

6 本報(bào)記者 熊雯琳;英特爾在移動(dòng)平臺(tái)的22nm博弈[N];電腦報(bào);2011年

7 計(jì)算機(jī)世界實(shí)驗(yàn)室 吳挺;45nm處理器掛帥[N];計(jì)算機(jī)世界;2007年

8 周童;同方首發(fā)45nm“液晶電視電腦”[N];計(jì)算機(jī)世界;2008年

9 余侃;英特爾開(kāi)啟45nm新世界[N];中國(guó)電腦教育報(bào);2007年

10 邱洪民;28nm沖擊波筆記本顯卡新格局[N];電腦報(bào);2011年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前3條

1 王俊杰;骨髓間充質(zhì)干細(xì)胞NMⅡ基因調(diào)控對(duì)吸入性損傷療效及機(jī)制研究[D];第二軍醫(yī)大學(xué);2016年

2 勞燕鋒;1310nm垂直腔面發(fā)射激光器設(shè)計(jì)與研制[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所）;2007年

3 李瓊;1470nm半導(dǎo)體介入式激光介導(dǎo)的新型人體輪廓塑形方法的臨床研究[D];南方醫(yī)科大學(xué);2013年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 朱志強(qiáng);基于28nm工藝的低功耗觸發(fā)器設(shè)計(jì)及優(yōu)化[D];安徽大學(xué);2015年

2 劉兆騰;低能量1064nm的Q開(kāi)關(guān)Nd:YAG激光治療532nm激光術(shù)后色素沉著的療效觀察研究[D];安徽醫(yī)科大學(xué);2015年

3 雷o(hù)灬，

本文編號(hào)：2518103