發(fā)布時(shí)間：2019-04-27 21:14

【摘要】：搭建了輸出特性測(cè)試電路、漏電流測(cè)試電路、雙脈沖測(cè)試電路和Buck電路,對(duì)1 200 V SiC MOSFET和Si IGBT的輸出特性、漏電流、開關(guān)特性和器件損耗進(jìn)行了對(duì)比研究,分析了SiC MOSFET的主要優(yōu)缺點(diǎn)。分析結(jié)果表明,SiC MOSFET在高溫條件下依然擁有穩(wěn)定的阻斷能力;在同樣的工作條件下,SiC MOSFET損耗更小,適合在高頻率、大功率場(chǎng)合下使用;SiC MOSFET的跨導(dǎo)低,導(dǎo)通電阻大,所以門極驅(qū)動(dòng)電壓需要比較大的擺幅(-5/+20 V);由于開關(guān)速度很快,SiC MOSFET對(duì)線路雜散參數(shù)更加敏感。
[Abstract]:The output characteristic test circuit, leakage current test circuit, double pulse test circuit and Buck circuit are built. The output characteristics, leakage current, switching characteristics and device loss of 1200 V SiC MOSFET and Si IGBT are compared and studied. The main advantages and disadvantages of SiC MOSFET are analyzed. The results show that, SiC MOSFET still has stable blocking ability at high temperature, and the loss of, SiC MOSFET is smaller under the same working conditions, so it is suitable for use in high frequency and high power situations. Because of the low transconductance and large on-resistance of the SiC MOSFET, the gate driving voltage needs a large swing (- 5 / 20 V);) because the switching speed is very fast, SiC MOSFET is more sensitive to the stray parameters of the line.
【作者單位】： 北京電動(dòng)車輛協(xié)同創(chuàng)新中心;中國科學(xué)院電工研究所;中國科學(xué)院電力電子與電氣驅(qū)動(dòng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(電工研究所);
【基金】：國家自然科學(xué)基金青年基金資助項(xiàng)目(51507166) 國家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃資助項(xiàng)目(863)(2015AA034501)~~
【分類號(hào)】：TN386;TN322.8

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2467315