【摘要】：本文采用ZnO憶阻器模擬了生物神經(jīng)突觸的記憶和學(xué)習(xí)功能。ZnO突觸器件表現(xiàn)出典型的隨時(shí)間指數(shù)衰減的突觸后興奮電流(EPSC),以及EPSC的雙脈沖增強(qiáng)行為。在此基礎(chǔ)上,實(shí)現(xiàn)了學(xué)習(xí)-遺忘-再學(xué)習(xí)的經(jīng)驗(yàn)式學(xué)習(xí)行為,以及四種不同種類的電脈沖時(shí)刻依賴可塑性學(xué)習(xí)規(guī)則。ZnO突觸器件實(shí)現(xiàn)了超低能耗操作,單次突觸行為能耗最低為1.6pJ,表明其可以用來構(gòu)筑未來的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)硬件系統(tǒng),最終開發(fā)出與人腦結(jié)構(gòu)類似的認(rèn)知型計(jì)算機(jī)以及類人機(jī)器人。
[Abstract]:In this paper, the memory and learning functions of biological synapses are simulated by using ZnO memorizer. The ZnO synaptic devices exhibit typical postsynaptic excitatory current (EPSC), which attenuates exponentially with time, and the double pulse enhancement behavior of EPSC. On this basis, the experiential learning behavior of learning-forgetting and re-learning is realized, and four different kinds of electrical pulses depend on the plastic learning rules at all times. The ZnO synaptic device achieves ultra-low energy consumption operation. The lowest energy consumption of single synaptic behavior is 1.6 pJ, which indicates that it can be used to construct the future artificial neural network hardware system, and finally develop cognitive computer and humanoid robot similar to human brain structure.
【作者單位】： 上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51272261和61474127)
【分類號(hào)】：TN60

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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2 劉春明,呂銀祥,郭鵬,農(nóng)昊,蔡永摯,徐偉,潘星龍,華中一,周崢嶸,陶鳳崗;一種具有極性記憶效應(yīng)的熱可擦有機(jī)電雙穩(wěn)薄膜[J];真空電子技術(shù);2003年06期

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2 劉R，

本文編號(hào)：2416339