【摘要】：硅埋置型毫米波系統(tǒng)級封裝中,傳統(tǒng)光敏BCB工藝常在溝槽處引入氣泡及凹陷,導致上層金屬線不連續(xù)。為減少氣泡與凹陷的產生,提出一種新型涂覆工藝——"雙型三次涂覆工藝",即在使用大厚度BCB的基礎上,引入低粘滯性BCB,并三次涂覆BCB。采用此工藝對Ka波段低噪聲放大器進行封裝,發(fā)現(xiàn)氣泡數(shù)量及凹陷程度大大減小,證明了此工藝的可行性及有效性。在25 GHz～37 GHz頻段內,封裝后比封裝前增益減少1dB,滿足高性能封裝要求。
[Abstract]:In silicon-embedded millimeter-wave system-level packaging, the conventional Guang Min BCB process often introduces bubbles and depressions into the grooves, resulting in discontinuity of the metal wires in the upper layer. In order to reduce the generation of bubble and depression, a new coating process, "double type tertiary coating process", is proposed, that is, on the basis of using large thickness BCB, low viscosity BCB, is introduced and BCB. is coated three times. The Ka band low noise amplifier is encapsulated by this process, and it is found that the number of bubbles and the degree of depression are greatly reduced, which proves the feasibility and effectiveness of this process. In the 25 GHz~37 GHz band, the gain of the package is reduced by 1 dB than that of the pre-package, which meets the requirement of high performance packaging.
【作者單位】： 上海大學通信與信息工程學院;中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所;
【基金】：國家重大儀器項目(2012YQ14003702)
【分類號】：TN405

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本文編號：2415151