【摘要】：碲化鉍基熱電半導(dǎo)體是中低溫區(qū)高性能熱電轉(zhuǎn)換材料,在微電子、計(jì)算機(jī)以及航天等領(lǐng)域廣泛用于局部致冷與精確溫控,在工業(yè)余廢熱回收溫差發(fā)電等領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。通過合金化和摻雜的方法,可以增強(qiáng)聲子散射降低晶格熱導(dǎo)率,優(yōu)化載流子濃度提高電性能,從而提高碲化鉍基材料的熱電性能。在簡述碲化鉍晶體結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,綜述了合金化和摻雜提高碲化鉍基半導(dǎo)體的熱電性能、碲化鉍基半導(dǎo)體晶體生長的方法及空間微重力對碲化鉍基晶體區(qū)熔生長的影響,并展望了利用天宮二號空間實(shí)驗(yàn)室開展碲化鉍基晶體生長及其相關(guān)研究。
[Abstract]:Bismuth telluride based thermoelectric semiconductor is a high performance thermoelectric conversion material in medium and low temperature region. It is widely used in local cooling and precise temperature control in the fields of microelectronics, computer and spaceflight, etc. It has a good application prospect in industrial waste heat recovery, temperature difference power generation and other fields. By alloying and doping, the phonon scattering can be enhanced to reduce the lattice thermal conductivity, the carrier concentration can be optimized and the electrical properties can be improved, thus the thermoelectric properties of bismuth telluride based materials can be improved. Based on a brief introduction of the crystal structure and energy band structure of bismuth telluride, alloying and doping to improve the thermoelectric properties of bismuth telluride based semiconductors are reviewed. The growth method of bismuth telluride based semiconductor crystal and the effect of space microgravity on the region melting growth of bismuth telluride crystal are discussed. The research on the growth of bismuth telluride based crystal and its related research using Tiangong 2 space laboratory are prospected.
【作者單位】： 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所高性能陶瓷與超微結(jié)構(gòu)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;河海大學(xué)常州校區(qū)機(jī)電學(xué)院;
【基金】：中國載人空間站工程項(xiàng)目(TGJZ80701-2-RW024) 中國科學(xué)院空間科學(xué)戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)(XDA04020202-11-1)
【分類號】：V524

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本文編號：2406750